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快速扫描光荧光谱表征GaAs的技术研究 李光平1，汝琼娜1，李静1，何秀坤1，王寿寅2，陈祖祥2 (1．信息产业部电子第四十六研究所。天律300i92； 2．美国安格盛光电科技公司北京代表处．北京100029) 摘 要：谊文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL 同定的激发光强下(860nm)．样片表面各点光荧光谱 强度的变化可直观地反映发光中心浓度的变化． Mapp_m曲在表征半鲍蝽砷化替(SI--OaAs)材料中的应 用，实验蛄果表晴SI-Cra舡晶片的PL强度s．M印plng 均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所胜在为 3实验和结果 制备嚣件簿选优质的SI．．Gek,s村斟时，除了电阻率． 本实验通过对批量样品PL 迁移率、住惜密度、壤奢量，EL2浓度厦算均匀性， Mapping潮试中．选 晶片表面质量外，PL 取了9个样品r将PL强度及Mapping参数与惯用 M印ping也是丧枉材料垂量的 一个重要参敷． 的常规表征参数：电阻率、迁移率、位错密度、碳 关键词：光致发光光谱；砷化嫁材料；表征技术； 含量、EL2黻以及器件性能测试情况列于表1．由 锯倬、 于这些样品的常规参数的不均匀性(相对标准谐差)数 、 值相当接近．均在正常范围内(电阻率不均匀性 1引言 20％；迁移率不均匀性‘15％；电阻率徽区不均匀 性20％；碳含量微区不均匀性IO％；EL2浓度微 随着大规模集成电路集成度的迅速发展。电路 区不均匀性7％；表面亚损伤层50nm)t因此上述 对材料性能提出了更高的要求．过去的常规参数测 参数的不均匀性数据未列于表中a从表可看出这些 量不足以表征C“4As材料的质量．材料的徽区均匀 样品丈体可分为三共：第一类是基本参数差．PL强 度弱和PL 性已成为限制集成电路发展的重要的因素”．2】．PL Mapping也差的样品(B1)；第=类是基本 参数好．但材料的PL强度弱和PLMapping差的样 Mapping是目前测量sI·GAs材料微区均匀性的有 力手段之一，该测量技术具有非破坏性、灵敏度高、 品(B2)；第三类是基本参致好。材料的PL强度和PL 直观性强．快速准确等优点．对于∞3英寸SI-OaAs 2050型PL 2050型PL 晶片的测量一使用美国Ac．c￡nt公司RPM 美国Acc2m岱司RPM Mapping快建扫 描光谱仪硼量，光谱仪带有4个不同波长的激光器 Mapping快速扫描光谱仪口l，空间分辨率为O．Imm 时，测量时间仅为几分钟．用如此短的时间可获得 整个晶片的PL 可应用于各种II·Ⅵ族和Ⅲ·V蕨化台物半导体测量， Mapping，这样就保证了测量数据的 准确性．同时叉可用于在线分析a 测量空问分辨率高达O．1mm，每个母3英寸晶片上 测量了约耶万个数据点a 2原理 罂件工艺实验包括：3000门电路，高速致宇集