SCR的容量di／dt及耐量du／dt分析与抑制.pdfVIP

维普资讯 2002年第4期 青岛远洋船员学院学报 VOL．2：3NO．4 SCR的容量di／d及耐量du／d分析与抑制 张 桂 臣 (青岛远洋船员学院机电系) 提 要 SCR在导通和关断的瞬间，存在 dI／d，容量和 d／d，耐量动态特性 的限制 ，本文分析 了SCR特性参数与电路参数的关系，根据 SCR的动态特性 ，采 取 了抑制 SCR的 di／d 和 d／d 的措施 ，防止 SCR过 电流和过 电压击 穿，提 高 SCR变流装置的可靠性。 关键词 d／d容量 d／d耐量 浪涌吸收器 换流超前角 换流余度 角 8 1 SCR导通特性 SCR的开通先发生在靠近 门极的阴极区域 内，即所谓 “局部导通”，然后才是 “局部导 通区”横向扩展到整个阴极面的全面导通，这就是导通 的扩展过程。 2 SCR关断特性 由于导通时的电荷存储效应，当施加反向偏压 (强迫关 断)后 ，存储载流子在反向电 场的作用下以反向电流形式从SCR体内流出，这部分电流就是反向恢复电流 I，当I达 到最大值后 ，开始急剧下降，然后缓慢地趋于稳定的反向漏 电流值。在换流 电路上，当反 向恢复电流下降率达到相当大的值时，将有一个迅速变化的电流通过换流电路的电感，在 其两端产生很大的反 电动势，这个异常电压周期地加在 SCR的反向，将引起 SCR的损坏。 所 以，必须采用浪涌电压吸收电路 (SCR与 RC并联)。 3 dI／d容量 当SCR加上门极信号后 ，SCR只能先在靠近 门极的阴极内边缘 的局部区域导通 ，然 后 以0．03～0．1mm／p~s的速度经过几至几十微秒 的时间扩展到全面积导通 。因此，如果 在 比扩展时间更短的时间内，通过 SCR的电流增长到很大的值，那么 ，由于导通区还来不 及扩展 ，电流都集中在 门极附近很小的一部分区域 内，致使这部分导通区域的电流密度很 大，局部导通区强烈发热，甚至烧坏器件。因此 ，对每一个 SCR来说 ，都有一个承受 电流 上升率的能力 ，这就是 SCR的di／d容量。它表示 SCR开通瞬间对 阳极电流上升速率的 允许极限。若 电路中的d。／d值超过 SCR所能承受的 di／d极限值，则 SCR就会发生 di／ d击穿。 4 di／d的抑制 采用前沿陡峻、幅值很高的门极强触发脉冲可以增大初始导通面积 ，对改善 SCR的 · 27 · 维普资讯 2002年第4期 青岛远洋船员学院学报 VOL．23NO．4 di／d。容量有效。SCR导通初始瞬间，在晶闸管的阳极 一阴极间电压还没有达到稳定的通 态 电压值的情况下，有相当大的电流流过 ，由此产生的开通损耗对器件有损坏的可能。导 通初期的电流还包含为抑制 d／d与晶闸管并联的RC滤波器 (浪涌电压保护 电路)的放 电电流 ，也就是说在 SCR开通瞬间，RC中存储的能量立刻通过 SCR泄放，c的放电电流 将产生很高的di／d。值叠加在按标准规定的额定通态电流上升率 d／d。之上。为此 ，应增 大与 c串联 的电阻 R值来降低放电电流的峰值，但 R值太大会降低对过电压的吸收效 果。采用与 SCR串联饱和 电抗器的方法 ，抑制 电流的上升速率 ，让电流上升得慢一点，待 导通区扩展得较宽之后 ，大电流才通过 ，这样就不会发生电流集中。 产生的d．／d。根据变流装置的种类及各 自回路构成方法的不同而不同。基本上导通 时流人晶闸管的主电流是主电源提供的电流和与晶闸管并联的RC滤波器的放 电电流的 叠加。在整流装置上 ，由主电源提供的电流的dI／d。用变压器的电抗抑制，否则 ，要设置 阳极电抗器抑制di／d．。触发前，阳极 一阴极间电压最大 ，导通角 0【=90。是最苛刻的条 件。为了抑制与晶闸管并联的 RC放 电电流，采用与快速放 电二极管组合的放 电阻止型 RC滤波器；它能对晶闸管的阳极 一阴极间电压进行整流，对 电容充电；当晶闸管触发导通 时，电容电荷通过二极管放 电