ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究.pdfVIP

第 26卷 　第 1期 江 　　西 　　科 　　学 Vo l. 26 No. 1 2008年 2 月 J IAN GX I　SC IEN CE Feb. 2008 　　文章编号 : 100 1 - 3679 (2008) 01 - 0 16 1 - 04 ZnO 薄膜的物理性质与制备方法研究 欧阳桂仓 ,叶志清 ,吴木生 ( 1. 江西师范大学物理与通信电子学院 ,江西 　南昌 330022; 2. 江西省光电子重点实验室 ,江西 　南昌 330022) 摘要 : ZnO 为 Ⅱ- Ⅵ族半导体材料 ,是一种极具潜力的新型功能材料 。给出了 ZnO 薄膜的主要物理性能 ,并 对制备方法作了比较详尽的介绍 ,包括激光脉冲沉积法 、磁控溅射法 、金属有机物化学气相沉积法 、溶胶凝胶 法 、喷雾热解法 、分子束外延法 、原子层外延生长法 。 关键词 : ZnO 薄膜 ;物理性质 ;制备方法 中图分类号 : TN 304. 055　　　　文献标识码 : A Study on Phy sica l Properties and Grow th M ethods of ZnO Th in F il m OU YAN G Gu icang, YE Zh iqing,WU M u sheng ( 1. Co llege of Physic s and Commun ication E lectron ic s, J iangxi Norm al Un iversity, J iangxi N anchang 330022 PRC; 2. Key L aboratory of Photoelectron ic Telecomm un ication of J iangxi Province, J iangxi N anchang 330022 PRC) A b stract: ZnO is a m aterial for Ⅱ- Ⅵ sem iconductor, of cou rse it is an novel functional m aterial. In the work , the p hysical p rop ertie s of ZnO and variou s grow th techn ique s of ZnO th in film , such a s Pu lsed L a ser D epo sition , M agnetron Sp u ttering, M etal - O rgan ic Chem ical V apor D epo sition , So l - Gel, Sp ray Pyro lysis,Mo lecu lar B eam Ep itaxy, A tom ic L ayer Ep itaxy, are in troduced in detail. Key words: ZnO th in film , Physical p rop ertie s, Grow th m ethod s 有很高的热稳定性和化学稳定性 。这些优点促使 1　ZnO 薄膜的物理性质 氧化锌广泛应用在光电器件 、太阳能电池 、表面声 氧化锌是一种新型的 Ⅱ- Ⅵ族宽禁带化合物 波器件 、非线形光学器件 、紫外光探测器 、气敏元 半导体材料 ,具有六角纤锌矿型晶体结构 , 图 1为 件 、湿敏材料 、压敏器件等众多领域中 ,近些年赢 ZnO 的晶体结构 。它是一种直接带宽禁带半导 得了很大的关注 ,成为化合物半导体材料中一个