TiAl、TiPtAu栅GaAs+MESFET的栅退化机理的研究.pdfVIP

TiM、TiPtAu栅MsJ!SFET的栅退化机理研究 黄云 费庆宇 信息产业部电子第五研究所(广州510610) 蕾要：本文针对G“sI匝SFET在微波囊率的应羽中的射颤过驱动导致高糠电流密度现象， 样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失擞样品进行分析。确定了。婿寄生并联电阻 的退化是导致器件的跨导卧饱和蔫电流I，夹新电压V。等特性退化，甚至导致器件烧毁 失效的主要原因． 关键词：G“sⅡSFET．柑并联电阻、退化、失效 引 言 功率G“s娅sF盯园其优良的微波性能而被广泛地应用于现代高速通信系统中．成为 现代通信系统的核心器件．其可靠性直接影响了通信系统的性能和稳定性，这意味着G“s MESFET的可靠性已成为其广泛应用和进一步发展的关键． G“s MESFET的栅肖特基势垒接触的稳定性直接影响了其可靠性．随着G“s雠sF盯 工艺技术成熟和对其可靠性研究的全面开展．G“sMESFET的可靠性得到了极大提高．高 温储存、高温寿命试验、高温反偏等试验揭示了Gns-IESFET的一些主要失效机理，但在 擞波频率的应用中，射频(RF)过驱动导致的大的栅电流密度可能导致新蛳失效机理．G“s MESFET是依靠橱的肖特基势垒接触来控制沟道区。因而GaAs艇sFET的可靠性与稳定性在 很大程度上取决于肖特基势垒橱的特性和其可靠性与穗定性．为了反映出HAl播和TiPtAu 橱GaAs肛SFET在微波频率的实际盘用中存在的射频过驱动(大的输入电压摆幅)现象导 MESFFr 致的高栅电流密度．准确找出G8^s TiM栅和TiPtAu橱的肖特基势垒接触的失效 模式和失效机理。我们设计了TiM攮和TiPt^u橱G“s肛SFET的高温正向大电流试验． 通过对试验数据和试验样品的扫描电慌静惫电压衬庹像以及试验中的失效样品进行分析， 确定了橱的寄生并联电阻的援慢退化是导致器件特性退化，甚至导致器件烧毁失效的主要 原因． 试验样品和试验方法 TiA]栅和TiPtAo橱是当今军用和民用中使用最为广泛的n-GaAsl麟州r橱金属结构． MESFET 我们针对这两种栅结构n-GaAs班’sFEr设计了高温正向大电流试验，两种n．GaAs ·187‘ 除了栅金属不同补，其它结构、材料和制作工艺均完全相同．我们采用大的栅电流密度来 模拟射频过驱卦现象引起的高栅电流密度．再加一个高的温度应力加速栅退化过程． 在微波频率应用中，射频(I{F)输入电压摆幅引起的栅电流密度可能高达到10“ 10iA／cm2的水平，橱上高的峰值电流密度或栅结构的不一致等缺陷可能引起金属栅的退 化．为了模拟n-GaAs8ESFET在实际使用中可能出现的这种退化现象，我们把源涡短接接 地，栅上加正电压使流入金属栅的总电流为70ⅡA可以使金属橱上最大电流密度达到～ 105A／c以采用200℃曲高温来加速退化过程，240小时后结束试验． 试验结果与讨论 为了便于对试验数据进行讨论，我们用如图l所示的等效电路来对直流特性下的GaAs 虹SFhT器件进行等效，其中肖特基势垒橱用理想二极警D和并联电阻R。h来进行等效．R， 凡和R1分别等效器件的源、满和栅的串联电阻，R。等效器件的沟遭电阻，RI、是导致肖特 基势垒栅鬻电曲垒属播缺陷和表面鬻电等因素的等效电阻． 试验样品在200℃和70mA正向大电流下进行240小时试验后，两种橱结构虹SFET均 有部分试验样品出现完垂失效，未失效样品的直流特性和檐电阻，沟道电阻、源蔫电阻， 最大饱和满电流、势垒高度、夹断电压和跨导等参数均有不同程度的退化．与肖特基势皇 橱退化有关的典型试验结果如图2—6所示． 对比试验前后的数据田的鼓据可以说明橱特性的退化．圈2是试验前后器件正向电 漉与正由电压的关系，试验后器件在小电压下的蔫电流明星增大，其中TiPtAu8#试验样 品的蔫电流有几十数量教的麦化．栅上寄生电阻R．对小电压下的电流影响蕞为显著．西 此小电压下的电流显著增大主要是寄生并联电阻R“的减小引起曲．图3和圈4同