TMAH刻蚀硅及其对铝覆盖膜的影响.pdfVIP

2000年10月·广西·北海 第七届全国周体薄膜学术台议 TMAB刻蚀硅及对铝覆盖膜的影响’ 秦元菊忻佩胜范忠丁玲赖宗声 华东师范大学电子科学技术系200062 摘要：本文主要研究TMAH对硅和铝的刻蚀情况。首先，做了不同条件下(浓度从2％wt 而增大，随浓度增大而减小；纵向腐蚀与横向腐蚀深度之比可达12：1到20：1：浓度在15％wt 以上时表面平滑。然后．又用多种方法实验了有铝膜覆盖的情况．并做了比较，试图找到 对硅和铝的腐蚀选择比较好的条件，验证结果表明用KPR光刻肢作保护的效果较好。 关键诃：TMAH、各向异性腐蚀、选择比 一、引言： 随着通信和集成电路所用频率的不断提高．低成本、微型化的微波元件有了很大的需 求。但通常，硅上的传输线器件在微波频段损耗很大。为了使这些微波元件与有损的硅衬底 电磁隔离，不需要的硅衬底必须刻除。 这些波导必须满足两个严格的要求：良好的低损耗性能和机械强度。然而，要获得良好 的微波频率性能必须刻掉有损耗的硅．使元器件和传输线悬浮起来。通常用各向同性或各向 异性腐蚀来达到此目的。也可用把两者结合起来的混合腐蚀方法…。 早期的各向异性腐蚀实验，一般只研究对硅的腐蚀．或者实际在制作器件的过程中把 硅腐蚀掉．有时这样做会对后面的工艺造成不良影响或使后续工艺无法进行。如果运用一 种后处理工艺(即先把器件做好．然后进行腐蚀)．则可避免上述问题。目前集成电路平面 工艺多用铝作导线，为了运用后处理工艺来实现把器件下面的硅腐蚀掉，又能保持器件完 好无损．就必须找到一种合适的腐蚀液和实验条件，要求对硅和铝的选择比很大，这正是 本文的研究目的。 二、实验： 1．腐蚀液的选取 能够用来做湿法化学刻蚀的腐蚀液有很多”】，目前已得到广泛应用的硅各向异性腐蚀 种因其腐蚀过程的可控性较差、有很大的毒性，近年来已逐渐被淘汰不再使用。而1氧化 钾水溶液(KOH)因其无毒、表面质量好、腐蚀速率易控等优点而被广泛应用；但是KOH易 引起离子沾污，又容易腐蚀铝，因而不能与CMOS工艺兼容。近年来，人们发现TMAHW(四 甲基1氧化铵水溶液)也可作为硅的各向异性腐蚀液，而且很有希望与CMOS工艺兼容。但 这方面的实验报道还不多．而且它对铝的腐蚀重复性较差，值得进一步研究。 2．腐蚀机理 在各向异性腐蚀中腐蚀速率取决于晶面上原子密度和界面密度。对硅而言，(iii)面 是原子密度最大的面，(100)面次之．(110)面最小。全面考虑各种因素，得出以上三个 面的腐蚀速率关系为： CMOS工艺中使用的硅衬底晶向是(100)，并且各向异性刻蚀成一个倒切的金字塔形的坑， 刻蚀坑的侧壁均为{IIi)晶面，使得侧壁与衬底表面成54．7o。如果基片足够厚，则腐蚀自 动停止。 55 !竺竺!!星：亡堕：i堕 蔓主壁皇里星堡蔓堕塑型 由于TMⅫ呈强碱性·因此腐蚀渡中存在大量的氯氧根离子．这使得硅和铝很容易与 其发生化学反应．它们的反应方程式分别如下： 2(oH)一+Si+4H20——》[si(oH)6]2‘+2H2T 3COH)一+Al—》Al(0H)3+3e 查娶式反映了本实验的化学实质，从而为在实验中调节删腐蚀液PH值来改变腐蚀速率 提供『]堕论上的依据。 3．蓑置与实验 本实验采用(100)硅片，切割成小片供实验使用。由于腐蚀速率与腐蚀液的配比、温 度等有密切关系．所以要根据不同条件进行实验。 。 腐蚀液由分析纯的TMAH水溶液与去离子水配制而成，为减少挥发引起腐蚀液的配比变 化，实验采用回流冷凝装置，并在水浴条件下进行，由恒温磁力搅拌器控制温度并对腐蚀 液进行搅拌。整个装置放在通风橱中。 为了研究tMAH对铝的腐蚀，向腐蚀液中加人硅酸和过硫酸铵以改变腐蚀液的PH值， 该值由PtlS一2型酸度计测出。lttgl,．还尝试用KPR光刻胶、聚酰亚胺作保护铝膜的试验。 三、宴■蕾暴与讨论： 1．对硅的庸蚀结果 在实验所选用的各种浓度中．从10％wt到25％wt