YAG%3aGr-%274%2b-晶体Q开关的制备及其应用的研究.pdfVIP

YAG：Gr4+昌体Q开关的{卧鲁及应用研究 一——～——————-——～—————～一 律天牟赵世平李戈平彭堆清黄昌明 罗蜀平 悟●赫棚—■嘲取。肺竭I●■6埔哟) ·‘ ：- 。》： 、● ‘ ， ■要：本文报道T^G：c，矗体的生长．口_并美盼_薹i确于1．∞p-Nd激光调口 的研究鳝粟．用于脉冲T^G：Nd溯锰调口对。达到{弦冲姓6．7ns．调q效率s6．9％， 单脉冲域2J．重复舞事枷Iz．并戚功甩于大誓面较囊囊光曩．膏t囊L科p皿囊曼藏移 激光嚣。钕骥南斛惦和LD泵浦的固*蔫光嚣调Q． 1．引言 在∞年代末．人们发现Y^G：晶体对1Jl-附近蠢光呈现饱和嗳收特性．可用作 t动Q开关呐，．此种q开关相对于主动调口(如电光嚣件或声光器件)和其它t动谓q(如 染辩和色心■体等)方式有许多优点．苜者需要毫压蔫，鼍过开关电路驱动，系统较复 杂，茇甩不方使；有机染料和色心‘体的热—光馨定性都较差，使用寿奇短．重复频 率上不去且有毒情．Y』16：臼，为矗沮Il体材料．热虢性和光毫定性都好，寿食长，使用 方便． 但选今，专门报道Y^G：cr“晶体的生长和tQ开关●烙及应用的文章不多．奉文担介 绍相关舶研究培果． ’ 2．Y柏：cr‘■体的生长 2．I1f_帕：Q嶂晶生长的—般耕F 读■体甩中螽瞳应加蠡引上法从铱坩塥中生长．苍彦加热设备工作赫事鼢l强c， 曩定琦搴龋吼采用。欧穑’控髓春对沮度进行精密控辩和程序箍澍．辕坩螭尺寸为 o(强～72)×h(55～65)啊‘釜库互2_．以^r或K作侣护气氛，生长时炉内压力为 o．O箱～0．明呻“采用n和／或嘶与cr共掺入啪茎旗l；【形成Y插：n舯晶体．矗 体生长方向隽(1l城生长速度1．舻1．铀I／小时．量体直径—般为023～28m．鼍进研 究．已获得蓖适应不同应用的，具有不同吸收系数(Ⅱ，．。．．)的t惦晒，晶体的生长用 参杂配方．为了消除Y^G：cr”晶体中影响晶体光学质量的棱心效应，采用了—种特殊的 平界面生长技术(cRsLI法)，获得了无棱心晶体．采用此法，Ip使用较小的坩埚也可 获得大簟面积且径向质量均匀舳口开关，a件，可蔫足某些激光嚣对大藏面口开关的需 求．目前，口开关韵直径量大可迭25啊． ’ ～ ， ． ， ——～———————————1f_●—■羽覆——————————一一 我们用cRSLI方法生长的Y^G：Cr舢晶件如圈l所示． f 圈l嘎目蛆删的Y^G：☆“■律 对比研究了≯杂体系及配方，生长气氛和退火对Y^G中cr“形成的影响． 。 2．乏参杂研究 在孙G基魔中只参c哦时，删书呈母包只有cr’．存在，不臌即·特有的吸收峰． 为了形成妇价的侥一·必须同时参入2价的碱土叠一膏子(-蝴／或ca¨)．以进行电荷 脊量·我腿行了Ir，∥与☆共参的实譬．实验条件如下： 在化学式h㈣‰舢‘‘l。，钒版％中 f铂—n000 ，=0．∞l～0．O∞ 铲母～0．嘲 毳嘣亍了E“．分并蝴_赶与铅共参的!邑长．弱％只赛茸妒与☆共 存