Yb-%2c2-O-%2c3-掺杂的BaTiO-%2c3-陶瓷的PTCR特性.pdfVIP

Yb：Ob掺杂的BaTiO，陶瓷的PTCR特性／齐建全等 ·165· Yb203掺杂的BaTi03陶瓷的PTCR特性 齐建全李龙土来青桂治轮 (清华大学材料系．北京100084) ■墨 t有枉遭‘L为离子半轻轻小的Yb¨离子．在＆T103中主鼻取代n住而表观冉受主夺曩．从而不能使 BaT峨材料在空气中半导化．蕾主研完了Yblos的搏枭扦蜥．表明它同其它拜土杂囊一样．可以使空气中烧成的Ba— TiO，陶瓷半导化。在地施主捧杂的BaTio，半导化陶t中．材朴的升阻比堕施主掺杂量的增加而降低一连主由于晶界 上中性佃敏住浓度臆巍主掺杂量的增加而降低连成的。 关键词 Yb20，BaTm，PTCR 进一步增加时，材料中就会出现缺位扑偿或者二价稀上离于 0导言 进驻T-位．形成受主掺杂 施主掺杂的BaTiO，半导化陶瓷具有PTCR效应04】。这 些墙主杂质包括取代Ba位的三价稀土离子、吖+、sbH和取 代Ti位的Nb5+、W‘十等高价离子。这些离子的半导化特性存 在着明显的差异．以前有根多研究报道丁三价稀土离子在 BeTiO，中取代位置的变化．曾有报道认为离子半径较小的 Yh¨离子．在BaTiO，中主要取代T-位而表现为受主杂蓐． 从而不能使lhTiO，材料在空气中半导化。‘】．本文研究表明． 在Ti过量的BaTiq中-Ybps与其它稀土氧化物一样．可咀 作为簏主杂质，使gaTiO，陶瓷材料顺利半导化。其半导化最 佳掺杂量大约为0．3m01％．童温电阻率小于35D·cm．在不 引入过渡元素受主杂质的情况下．PTCR效应随稀土掺杂量 的增加而降征． 1实验过程 Ybz0，一2Ybi+30S+V～ ‘4 选用liaTiO，做为基料(纯度大于999“)．Tio：、Yb20。 (5】 02{g)+2F—ZYbr,+40#i Yb：0，+i1 为试剂级纯度。按B日Tio，十Imol“Ti02+xmol“YbzO?配 因而t材料中电子浓度下降．材料电阻升高。 料，x=0．15，o．z．0．3—0．35。0 4t0．5。粉末样品分别球磨、烘 干后．干压成型为壬10×1．5mm3的样品。1350。(2×lh烧结。 腰片样品双面擦教ln—Ga合盒电极后．测试电阻一温度特性． 2结果与讨论 不同Y七羽，掺杂量的Ba“0，商瓷样品的电阻温度特性 如图l所示．可以看出掺杂量在o．5“之内，祥品均能半导 化．显示出典型的PTCR特性．因此．在BaTiO，陶瓷中Yb3+ 与其它三价稀土离子具有类似篇主半导化特性。把各个样品 的室量电阻值对Ybz吼掺杂量做图如图2所示．在Yb：O，掺 豳2不同Yb20；掺杂量的BaHO；陶瓷的童遵电阻 杂量较低的情况下．睫着掺杂量的提高．室温电阻率降慨．至 o．3“tool左右-电阻最低，达到7n．电阻率为35t1·cm． 把各个样品的升阻比对Yb：os的掺杂置做图-!l口崩3所 Yb，q的掺杂过程可以表示为： 示．可以看出．样品升阻比随稀土掺杂量增加而降低。对于空 6) (1) 气中烧成的纯的BaTiO，陶瓷．有资料表明．可以产生如c YbzO，一2Yb二+2嘣+寺Oz【g)+2e‘