辅助场FDTD方法分析电磁屏蔽半电波暗室吸波材料的特性.pdfVIP

-辅助场姗j方法分析 ； 电磁屏蔽半奄波培蛊鼹藏材料的特繁譬铂 刘受毛钧杰一’ + 国防科技大学电子科学与工程学麂电子年}}学与技术纛 奠要：丰定论述了拥麓鼬场瞒分方法分析暗室融^娜的嚼辞椭爵寇浩，阐逑 了麓助艟F哪置珐酶抽建，。以及它在售蕞攥重举尊|虚零，寸尹i擘警_r抖的反射 ’ ’ 一 ’ 特性- ．!_ l引言 电磁屏奠毕电波暗室是进行电磁兼容认证检测的重要场地之一．为此田内掇多单 位纷纷筹建和正在建设电礁屏蔽半电藏暗室．．：， 电硅屏麓半电波暗室简称蹦c暗室，它与微波暗室不同．醯忙暗室内氟孽瓤 泣材#j只膏垃誓幂镶设吸波材料．-主叠嗣录模报嚣耀爝她谥：期泡渡搀擂嚏确挂达 麓和墙蕾菠赠渡：霸镥渡暗室嵩瘟帮簟豫曩装错事蝣用予骥撩自由空嘲传播臻赡．执 使用旨的来着，髓记：菇室用孚电磁薰容蔫量，包括电t●射手扰稿叠鞭电■■静●婚 t凌-I鲞睦 度自t，主薹性能|茸标用扫一诧场地衰囊科黝潮姻崂疆场均萄幢巢翻B 耍用于徽波天线系统的指标测量，暗室性能用静区尺寸、反射电平、固有叠选羹面、 交叉极化度参敦表示． 虽然两种暗室的用途、性能、指标毒不同，；坦最它F】曩熏耍的部酗蔫悬嚷童t萄 上的吸波材料．材料的吸波性能越好，爱射率黼，对赣羹中髓曩■潮_穆唑口朔q一 定度藏越小，因此吸渡材料的反射性能如何是暗室设计时必须考虑的重蔓因素。 吸渡材料性能的测试，如有条件可在G僵M室中用弼络分析仪进{亍，或者可在暗 室或开嗣场中用功率电平反射法和空间驻波法涌自掣“．但是，如果能方便地计算出吸波 材料的性能，不仅省去了测量的繁琐，还可对吸波材料的媒质参数、几何形状进行优 化设计，以获得量佳的反齄性能． 为了达到很好的吸波性能，吸波材料一般做成上尖下租的锥形或尖劈形，并整齐 有序追捧列在暗室墙面上，如图t．这种形状的吸收材料能与自由空间更好地匹冕．为 了馓刊屏蔽，吸波材料的底面铺设金属扳． I) b1 圉I吸竣材料阵列。．1)一赡阵列，h)=雏阵列 田2四蔚惟形啜渡材辩阵列单元 由于嗳渡材料几何体在暗室墙面上是星周期性捧列的，形成一个阵列．并且在一 面墙上，几何体的个敷一般是成百上千的，因此当入射波近似为平面波时，可以将吸 渡材料用期阵刊当怍无限阵列来处理，刚只耍分析其中住意一个单壳的反射特性，就 可番劐整个阵列的反射特性． · 暗室吸波材料几何体有各种形态，且它一般是由色散媒质构成，其攥质参羹比较 复杂-有时还设计成分层媒质的，各层参数不同．对于这一复杂结构来说，F瑚[D方 法瞄因其计算原理简单、便于仿真任意结构和媒质参数、便于宽颜带计算，是一种根好 j ； 的方法。 2辅助场FDTD法分析周期性结构的基本原理 选定其中一个吸波材料单元为计算区域．见图2．当入射波偏离法向时，四璧边 界上的场虽然幅度相同，但存在相位差．因此其四璧采用周期性边界条件(P戬习触； 垂直于阵面的方向上采用吸收边界条件0忸。截断，则计算区域为一个有限空闻．在某 个频率上，阳c可用频域相移袭示，印缸+t，*：)一自X只咖一冉略：脉冲蠢尉时． ￡0+以，只毛，)t反葛*=，f+L)，PBc就只奠舟时簪囊希，对阔延迟值可以通过存赞一 段时问步中的场位得到(这徉写麓篱耗很太鹩帝鞭霸，儡蓐时嘲彗懂尉是不可能预知