半导体器件参数退化失效分析.pdfVIP

维普资讯 38 1996年第 4期 ， ．．． r 斗导 徐墅艇～J 前一． 电参数漂移 、超差或退化是半导体器件 常见的失效模式。这类失效会导致产品合格 体 墼 言 率不高；使得成品器件档次下降i更严重的 是还会影响整机的寿命和可靠性 。引起这类 失效的原因很多，如材料缺陷，生产工艺欠 佳，使用条件、环境所致等等．但要对参漂 或退化的器件进行分析时，由于这类失效的 化参艮一惭删确～罢搠 原困复杂 ，失效部位难寻 ，不像分析致命失 效那样较直观 ，往往不易找到其失效原因．因 圈1(a) 1。3DG130橱 电流特性曲线 此，如何准确确定这类失效器件的失效原因， 是半导体器件生产厂家和用户长期以来乃至 失效 L= ㈨ 今依然十分关注的问题。本文通过两种型号 晶体管的失效分析实例 ，介绍了对半导体器 件参数退化失效原因的诊断分析方法． 分 Ⅲ 2 失效器件简况 某厂硅npn三设管3DG130经满功率负 荷 3000小时试验后 3只器件出现反 向漏 电 等 ， ＼o敝 流 IcB0超差失效 ．另一厂家的硅npn开关管 上 3DK4“B．2在工艺筛选 中有 5 的管子属于反 向击穿电压BvcBo退化失效 。 3 失效分析结果 3．1 外观检查和电性能测试 两种型号的失效器件在外观检查中均无 发现异常 。电性能测试显示，3DG130失效管 的反 向漏 电流 I—V特性见图 l(a)①、(b) 图2 (c) 13DK4BI-V特性曲线 ① ，3DK4B失效管的BV。0退化典型曲线见 维普资讯 1996年第 4期 电子产品可靠性与环境试验 39 L J 、 ／ ＼ —． ．． — + — ． —． ．． — — — — — — — — — — 一 一 7一一一一一一一 ＼ = = E = = 一 一 一 —— 『 、