高亮度发光二极管多层结构外延片电化学C-V测试分析.pdfVIP

维普资讯 第 21卷 第 4期 量 子 电 子 学 报 V0l1．21NO．4 2004年 8月 CHINESEJOURNALOFQUANTUMELECTRONICS Aug．2004 文章编号： 1007-5461(2004)04-0542—03 高亮度发光二极管多层结构外延片 电化学 — 测试分析 孙慧卿， 范广涵， 刘颂豪 (华南师范大学光电子材料技术研究所， 广东 广州 510631) 摘 要 ： 本文介绍了利用 ECV的方法测试分析双异质结多层结构外延片方法，在测试厚度、掺杂浓度、导 电类型等材料的结构参数过程中，解决了外延片参数不稳定时的测试方法。 关键 词 ： 光电子学； ECV；肖特基结；微分电容；电解液 中图分类号 ：TN312．8 文献标 识码 ：A 1 引 言 自90年代初期，由A1GaInP材料研制的波长从 640~570nm的红色、橙色、黄色、黄绿色和绿色 LED 得到了广泛的应用，包括大屏幕显示、交通管制系统、汽车尾灯以及液晶显示的背照明光源等领域。外延材 料的生长质量是决定LED性能的关键因素，了解外延片的厚度、掺杂浓度以及导电类型等材料的结构参 数，对其进行分析，发现问题，从中找出改进芯片质量的工艺途径是十分重要的。采用电化学 —V (ECV) 的方法测试 A1GaInP双异质结外延片电参数，在一个不变的低反偏电压作用下，一边剥蚀掉与电解液刚接 触过的、已测的半导体薄层，一边接着测下一层薄层的微分 电容，腐蚀测试连续进行，获得半导体掺杂轮 廓的信息，纵向分布的可测深度不受 肖特基势垒击穿电压限制，适合测试多层结构的半导体材料 川【。 2 电化学腐蚀及 — 测试原理 电化学 — 测试技术包括半导体的电化学腐蚀及 — 测试两部分。半导体 电化学腐蚀是半导体材料 在电解质水溶液中所受到的腐蚀。根据阳极氧化及电解的原理，将半导体芯片置于电解液中，外加直流电 压，电极电位低的是阳极 (即半导体芯片)，电极电位高的是阴极 (即电解质水溶液)，阳极逐渐被氧化腐 蚀溶解。采用电化学腐蚀，可以精确控制腐蚀深度，使腐蚀测试连续进行。 C-V测试是利用反偏 肖特基势垒的电容特性，来获得 肖特基势垒的半导体边的杂质浓度极其分布。电 解液 一半导体形成的肖特基势垒与金属 一半导体 肖特基势垒其导电性能及在半导体界面层形成的接触势垒 是一样的。于是，利用反偏 肖特基势垒的电容特性 引【，在P．n结上加一个固定的直流偏压，交流讯号电压 dU叠加在直流偏压之上，这个微小的电压变化量 d 引起结空间电荷 dQ的变化，其势垒电容 C=dQ／dU， 所以又叫微分电容 f引。于是对于单突变结 f，耗尽层宽度表达式为 W d qN J (1) 其 中wd为耗尽层宽度， 为 p-n结内建 电势，V为外加电压， ￡0为真空电容率， (通常 ￡o=8．85× 10_。4F／cm)，￡r为材料相对界电常数，q为电子电荷，N为净掺杂浓度。微分电容的表达式为 基金项 目：广东省重点科技攻关项 目(国家部分)超“高亮度发光二极管和面发光半导体激光器的研制”资助 (2000一D068) 收稿 日期 ：2003-07-07； 修改日期 ：2004-09-23 — 一 维普资讯 第4期 孙慧卿等：高亮度发光二极管多层结构外延片电化学 C—V测试分析 543 = = [ ㈤ 其中C为微分电容，A为结面积。材料的杂质浓度的表达式为