SiC晶体PvT生长系统的流体力学模型.pdfVIP

第34卷 第5期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．34 No．5 2005年 l0月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTAI．S October．20o5 SiC晶体 PvT生长系统的流体力学模型 及其有限元分析 张群社，陈治明，蒲红斌，李留臣，封先锋，巩泽龙 (西安理-r大学 自动化与信息-r程学院，西安710048) 摘要：本文根据SiC晶体 PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型，采用有限元法分析了生 长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响。通过对生长腔内及生长晶体中温度 瞬态和稳态分布的分析，得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响，在系统热平衡后 辐射对腔内温度分布起决定作用的结论。 关键词：SiC晶体；PVT法；流体力学模型；温度场 中图分类号：0782 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2005)05-0828-05 A HydrodynamicsMod elofSiliconCarbideSingleCrystal GrowthbyPVT andFiniteElementAnalysis ZHANGQun—she，CHENZhi-uring，PUHong—bin，12Liu-chen，FENGXian-feng，GONGZe-long (SchoolofInformationEngineering，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an710048，China) (Received25February2005，accepted17May2005) Abstract：A numericalmodeltosimulatethetransientheattrna sferduringhtesublimationgrowthofSiC singlec~stalsvia physical vaporrtna sportwas developed，investigating hte respective influence of conductive，radiativenad convective contributionson hte growth cellnad hte growing c~sta1．The calculationsshow thathteevolutionofhtetemperaturefieldin thegrowth chambernad inhteas-grown c~staliseffected largelyby convection athte initial heating stage，which ismainlydetermined by radiation atthequasi-stationarybyna alysisofrtna sientnad stationarynumerical simulationsofheat rtna sfer． Keywords：SiC c~stal；PVTmehtod；hydrodynamicsmodel；temperaturefield 1 引 言 SiC单晶体的制备大多采用物理气相输运法 (physicalvaporrtansport，简称 PVT)，也称为改进的Lely (modifiedLelymehtods)法。PVT法生长SiC单晶体是一个复杂的物理过程…，准确了解生长过程中SiC源 升华面和生长晶体的温度 以及生长腔 内径向和轴向的温度梯度，对有效控制晶体的生长率和生长过程中缺 陷的形成无疑是非常关键的。但是由于坩埚本身的密闭性使得对其 内部直接测温变得非常困难。通常的做 法是通过上下两个孔对温度进行监控。因此即使测温设备很先进，所测得的也不是坩埚内部