微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟.pdfVIP

　第 14 卷　第 1 期 强 激 光 与 粒 子 束 . 14, . 1　 V o l N o 　2002 年 1 月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Jan. , 2002　 文章编号: (2002) 微电路 pn 结瞬态电离辐射响应二维数值模拟 1, 2 1 2 2 2 郭红霞 , 　张义门 , 　陈雨生 , 　周　辉 , 　陈世斌 , 1 2 2 2 龚仁喜 , 　关　颖 , 　韩福斌 , 　龚建成 ( 1. 西安电子科技大学 微电子研究所, 陕西 西安 710071; 　2. 西北核技术研究所, 陕西 西安 710024) 　　摘　要: 　用增强光电流模型对微电路pn 结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在 ( ) 光电流模型的基础上, 增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底 准中性区 W irth Rogers 电场的效应, 这些效应对于高阻材料是不容忽视的。该模型对正确预估微电路PN 结瞬态电离辐射响应 提供了很好的评估手段。 　　关键词: 　微电路; 　增强光电流模型; 　 光电流模型; 　过剩少数载流子; 　高阻材 W irth Rogers 料 　　中图分类号: 　 99　　　　文献标识码: 　 TN A 　　瞬态 射线、 射线脉冲辐照, 会使器件的电性能发生瞬间变化。由于电离效应, 在器件中会产生光 X [ 1 ] 电流 。光电流的产生给电子系统引入附加信号使其功能改变, 严重者可使器件的引线烧毁造成永久性 破坏。光电流的大小与射线的强度、脉冲持续时间、器件种类、偏置高低和负载大小等因素有关。因此抗 瞬态辐射加固是电子系统抗辐射加固研究中的重要组成部分。 　　光电流由漂移电流和扩散电流两部分构成。漂移电流与偏置场强有关; 扩散电流与扩散长度和少子 [ 2 ] 寿命有关。 和 在 1964 年提出了光电流的一维解析模型 。包括耗尽区中产生的光电流瞬 W irth Rogers 时分量漂移电流和PN 结两侧一个少数载流子扩散长度内产生的光电流延迟分量。当辐射脉冲宽度为 T 时, 产生的光电流的数学表达式为 Ipp ( ) K D A