经验电子理论中与温度相关的价电子结构计算模型.pdfVIP

第26卷第49q 材料热处理学报 V01．26 No．4 2005年8月 TRANSACTIONSOFMATERIALSANDHEATTREATMENT August 2005 经验电子理论中与温度相关的价电子结构计算模型 宋月鹏1’3， 刘国权1， 李志林2， 刘建涛1， 冯承明3 (1．北京科技大学材料学院，北京100083；2．北京化工大学材料学院，北京100029； 3．山东农业大学机电学院，山东泰安271018) 摘要：通过合金平均线膨胀系数，建立起与温度相关的合金价电子结构计算模型，对该模型的理论 基础进行了分析，研究了cu和钢中7一Fe—c含碳奥氏体晶胞价电子结构与温度的相关性。结果表明， 温度可以显著影响合金价电子结构，温度升高时，其晶格常数增加，原子向较低杂阶迁移，各键的共价 电子对数n。及价电子结构中的相结构因子(n。、：n。和F：)均出现了不同程度的下降。 关键词：经验电子理论；价电子结构；温度依赖性；计算模型 中图分类号：TGl46 文献标识码：A 文章编号：1009—6264(2005)04—0125，04 Electron结构和温度建立起对应关系，从而建立了一个与温度 固体与分子经验电子理论(Empirical ofSolidsandMolecules，简称EET理论)中的价相关的价电子结构计算模型，并利用该模型研究了 Theory 电子结构是指在指定的分子和固体体系内，各类组成 cu和钢中含碳奥氏体晶胞价电子结构与温度的相关 原子的原子状态以及由组成原子形成的共价键络和 性，从而对该模型进行了可靠性验证。 伴随而生的晶格电子分布，通过电子层次上的价电子 结构信息来表述反映材料的宏观特性和现象…。由 1 计算模型的理论基础 于其在研究实际材料问题时显示出较高的有效性而 倍受关注，这些问题主要集中在固溶体、相变相图、材 计算方法¨101。对于某一特定的结构形式，采用已知 料的物理性质如熔点、导电、光学、磁学和结合能等方 的分子或晶体的结构资料，通过立体几何知识，可以 面，计算结果与实验结果可以一级近似怛。一。另外通 得到两个成键原子的“实验键距D。(‰)”： 过对材料的价电子结构分析，还可以从电子层次上解 设原子U位于r。位置，原子v位于r：位置，则 释宏观现象，如奥氏体形变、材料的脆性及硬度特性 A、B间的距离为： 等¨’6。，刘志林等应用该理论成功实现了对材料成分 DuF=7l一72 的优化设计圳。 =[(戈l一戈2)2 c2 值得注意的是，利用该理论对价电子结构进行分 析计算时，所采用的分子或晶体学结构资料均是常温 (z1一z2)bccosa+2(彳l—z2) 下的，在研究材料与温度有关的问题时，如相变过程、 与温度有关的材料性能等，不可避免地会遇到温度和 (戈l一石2)cacos／?I“2 (1) 结构价电子参数的关系问题，因此建立一个与温度相 关的价电子结构计算模型非常必要。本文从分析键 是材料的晶格常数。 EET理论给出了原子形成共价键的键距公式： 距差法(BLD．BondDifference)人手，在计算实验 Length 键距时引入平均线膨胀系数，并通过该参数将价电子