第02章 存储器.pptVIP

第二章 存 储 器 存储器 基本概念 内存储器和外存储器 内存储器：存放正在运行的程序和相关的数据； 外存储器：长期保存程序和数据。 存储器 基本概念 字节和字长 每一个存储单元有固定的地址 地址线与存储空间的关系。通常，n条地址线可寻址空间2n，但采用一些技术，可扩大寻址范围 ROM和RAM 2.1 存储器类型 2.1.1 只读存储器基本结构 只读存储器ROM 地址译码器根据地址总线信号，选中相应的存储单元。如果译码器的输入为n条地址线，则寻址空间为2n个存储单元。 输出缓冲器为三态门，控制信号主要为OE： ＝1，ROM输出为高阻状态 ＝0，ROM输出存储单元数据 ROM与CPU连接时，应将其与相关信号线相连。 只读存储器ROM 为减少芯片内部连接线数目，存储器一般采用双译码方式。 X地址译码器：用以选择存储单元； Y地址译码器：控制列的位线控制门。 选中单元由X地址译码器和Y地址译码器共同确定。 只读存储器ROM 种 类 掩膜编程ROM：编程由厂家完成； 现场编程ROM(PROM)：可由用户编程一次； 光擦除EPROM：可编程多次； 电擦除E2PROM：可编程多次； Flash 2.1.2 ROM产品 1. Intel 2716 光擦除 只读存储器ROM 2716的工作方式 只读存储器ROM 2. Intel 2816 EEPROM的工作方式 24脚芯片，主要引脚如下： 地址输入线：A0~A10，2K； 数据线：I0/O0～ I7/O7，分时复用； CE：片选信号； OE：输出允许控制端。 2. Intel 2816 EEPROM的工作方式 编程器 程序调试后，将目标代码写入ROM 2.2 随机存储器RAM 基本分类 随机存储器RAM RAM的重要控制信号 R/W：读写控制信号 ＝0，对相应存储单元写操作； ＝1，对相应存储单元读操作。 CE： 选通信号 ＝0，相应芯片被选中； ＝1，芯片未被选中，输出为高阻态； OE：输出允许信号 ＝1，RAM输出为高阻状态 ＝0，RAM输出存储单元数据 随机存储器RAM 1. 静态RAM Intel 2128 Flash (Flash Memory)存储器 本质上，Flash属于EEPROM类型，有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。Flash Memory的不足是容量相对比较小，价格贵。 Flash存储器 并行Flash芯片Am29F016B概况 16Mbit容量，+5V电源； 访问速度70ns、90ns、120ns、150ns； 并行Flash芯片Am29F016B概况 DQ7~DQ0：数据线； A20~A0：21根地址线； CE：片选信号 OE：输出控制信号； WE：写控制信号； RESET：复位信号； RY/DY：状态信号。为“1”时准备好，为“0”时“忙”状态。 并行Flash芯片Am29F016B概况 2.3 计算机存储器的组成与扩展 2.3.1 存储器芯片的选择 存储器类型选择：ROM、RAM；静态、动态等 存储器容量选择 存储器芯片与CPU工作速度匹配 2.3.2 存储器芯片组的连接 关 键 存储器芯片组的连接 存储器与地址总线的连接，本质是在地址分配的基础上实现地址译码，保证CPU能对存储器中所有单元正确寻址。它包括两方面内容： 高位地址线译码，产生片选信号，用以选择存储芯片； 低位地址线连接，用以通过存储器片内地址译码器选择相应的存储单元。 计算机存储器的组成与扩展 片选信号产生方法 全译码法 部分译码法 线选法 1．全译码法 方法：全译码法是指将地址总线中除片内地址以外的全部高位地址接到译码器的输入端参与译码。 特点：每个存储单元的地址都是唯一的，不存在地址重叠，但译码电路较复杂，连线也较多。 全译码法 全译码法可以提供对全部存储空间的寻址能力。当存储器容量小于可寻址的存储空间时，可从译码器输出线中选出连续的几根作为片选控制，多余的令其空闲，以便需要时扩充。 全译码法 设CPU寻址空间为64KB（地址总线为16位），存储器由8片容量为8KB的芯片构成。 2．部分译码法 将高位地址线中的一部分(非全部)进行译码，产生片选信号。 该方法常用于不需要全部地址空间的寻址，但采用线选法地址线又不够用的情况。 部分译码法 采用部分译码法时，由于未参加译码的高位地址与存储器地址无关