毕业设计（论文）-综述单晶生长方法.docVIP

目 录 摘 要 1 Abstract 2 第一章 单晶的生长原理 4 1.1 单晶的生长原理 4 第二章 直拉法 5 第三章 区熔法 11 第四章 水平法 12 第五章 垂直梯度凝固法 13 第六章 热交换法 16 第七章 液封法 17 第八章 蒸汽压控制法 21 结束语 22 参考文献 23 致 谢 25 综述单晶生长方法 摘 要 在20世纪90年代，硅基微电子学已经达到了成熟规模化生产水平。较低的晶片价格是器件生产转变的主要驱动力，这种转变伴随增加晶片直径需求和精确剪裁器件相应的器具，允许既能用于离子注入又能用于外延生长的器件生产技术。单晶晶片的生产厂家面临通过减少生产成本来降低晶片价格。 单晶材料根据晶体生长法有很多，本文主要讲的有直拉法，区熔法，热交换法，水平法，垂直梯度凝固法，液封法，蒸汽压控制法等。本文通过这7种方法来让我们了解单晶的生长，虽然不能很深入但能有个初步的认识。 关键词：单晶生长；方法；微电子 Review of single crystal growth method Abstract In nineteen ninties，Silicon-based microelectronics has reached a mature large-scale production level. The lower chip price is the main driving force of production shift device, his shift with increase the diameter of the wafer demand and precise tailoring device corresponding apparatus，llow not only can be used for ion implantation and can be used for the epitaxial growth of device manufacturing technology. Single crystal wafer manufacturer faces by reducing production costs and reduce chip price. Single crystal material based on crystal growth method has many, This article mainly tells a Czochralski method, Zone melting method, Heat exchange method, Level method, Vertical gradient freeze method, Liquid seal method, Steam pressure control method, and so on. Through these 7 methods to let us know about the growth of single crystal, although not very thorough but can have a preliminary understanding. Key Words：Single crystal growth;method; Microelectronics 第一章 单晶的生长原理 1.1 单晶的生长原理 在单晶成长过程中，随着熔场温度的下降，将发生液态转变到固态的相变化。对于发生等温、等压条件下的相变化，不同相之间的相对稳定性可由吉布斯自由能判定。ΔG可以视为结晶气动力。 ΔG=ΔH-TΔS （1-1） 在平衡的熔化温度Tm时，固液两相的自由能是相等的，即ΔG=0，因此 ΔG=ΔH-Tm×ΔS=0 （1-2） 所以，ΔS-ΔH／Tm （1-3） 其中，ΔH即为结晶潜热。 将式（3）代入式（1）可得 ΔG=ΔH（Tm-T）／Tm=ΔHΔT／Tm=ΔSΔT （1-4） 由式（4）可以看出，由于ΔS是一个负值常数，所以ΔT（即过冷度）可被视为结晶的唯一驱动力。 以典型的CZ长晶法为例，加热器的作用在于提供系统热量，以使熔体维持在高于熔点的温度。如果在液面浸入一晶种，在晶种与熔体达到热平衡时，液面会靠着表面张力的支撑吸附在晶种下方