半导体用下一代PA的开发F.pdfVIP

· 40 · 有 机 氟 工 业 2001拄 ，… … … 一 …… ’、 译 文 ； … … … … … … 。． 半导体用下一代 PFA 的开发 大谷克秀 1 前言 排列 ，然后成长成球状 ，变成球晶形态 (高次结 在半导体制造过程的湿处理工序中要对半 晶)。当相邻球晶之间发生碰撞时，其生长即停 导体片进行种种不同处理 ，为此要在最高温度 止。PFA成型品当然是以冷却 固化的状态供使 接近 200 时用氢氟酸、盐酸、硝酸、硫酸 、磷 用，但这种成型品中存在的球晶往往 比较大 ，通 酸 、氨、过氧化氢水溶液等药液处理。在这样苛 常其球径为20—501xm。 刻的条件下 ，不能使用有腐蚀危瞪的金属材料 ， 虽然聚丙烯和聚酰胺等通用树脂也具有大 宜采用耐热性 、耐化学品性优 良的氟树脂。氟 球晶结构，但已知其常使物性存在一些缺陷。 树脂中全氟树脂 PFA(四氟 乙烯与全氟烷基 乙 为了解决因球晶较大引起的聚合物透 明性 、成 烯基醚共聚物)是有可与 册 (聚 四氟乙烯)匹 型加工性、热变形温度、剐性等方面的问题 ，已 配的最强耐化学品性、最高耐热性的氟树脂，而 知有添加金属磷酸盐 、金属羧酸盐等成核剂使 且 PFA还可用一般熔融成型方法加工成形状 球晶微细化的方法实例 。 复杂的成型品。因此 ，PFA用作半导体片托架、 但是 PFA用 于不允许有金属杂质 的半导 药液用管 、接头 、瓶、槽的内衬材料等，在半导体 体生产时不能添加这样一些金属盐。用作 PFA 片制造中颇受欢迎。 的成核剂的必要条件除不含金属外，还有应具 但是，随着大规模集成电路的高集成度化、 有和PFA一样的耐热性、耐化学品性 以及没有 高密度化、精细化，对半导体生产过程中使用的 固体粒子等溶出的要求。在 SG系列的PFA制 材料提出了提高纯度和功能性的更高要求。对 造中，使用大金公司专门为此开发的全氟化合 PFA也提出了延长使用寿命、降低其对气体、液 物作成核荆。此全氟化合物具有与PFA极为相 体的渗透性 、提高光滑度等多种不同要求。 似的结构，耐热性、耐化学品性亦与 PFA相同， 已成功开发出使聚合物不稳定的末端基稳 不含金属 ，不往半导体片湿处理用药液中溶出 定 ，从而使其溶 出的氟离子减少 的所谓 “新 杂质 ，这 已得到确证。 PFA”(大金工业公司生产的 “SH系列”等)，它 添加这种成核剂可大幅度增加 PFA的结 正被广 用于半导体生产过程。最近大金公司 晶核数 目。因此 ，以结晶核为中心生长的球晶 叉开发成功功能性更高的品级 “SG系列”。 数亦增多，球晶稍有生长，相邻极近的球晶就会 2 球 晶微细化的机理 发生碰撞 ，从而球晶生长在初期 阶段 即被停 “sG系列”的最大特征是最大限度地降低 止。其结果是SG系列 PFA 的球晶大大减小 ，球 其球晶的粒度 。 径仅约 31xm。 PFA是半结晶性树脂 ，其结晶度随测定法 3 球晶微细化提高PFA物性的效果 而异 ，但大致上约为40％～55％。加热到其熔 由于 sc系列球晶粒度的减小而获得许多 点 (300—310 )以上变成熔融状态后冷却 ，其 实用性能上 的优点。以下说明其物性 的改 良及 1次结晶(层状)以某种结 晶核为中心呈辐射状 改善的效果 。 第 3期 有 机 氟 工 业 ·4l 3．1 提高透 明性 之 ，容易发生渗透的不是在树脂的结晶部分而是 第 1种改 良是大幅度提高透 明性 、透视 在非晶态部分。sG系列药液渗透量较低的原因 性 。 尚不清楚。球晶