一种新型锗硅混晶异质结构太阳电池的设计与理论分析.pdfVIP

维普资讯 太 阳 能 学 报 Vo1．21， No．4 AC1rA ENERGIAE SOLAR1SSIN1CA Oct．．2000 第肌狲 一 种新型锗硅混晶异质结构太阳电池 卷 的设计与理论分析 第 4 目 。一 77 ‘ 期 李成虎 赵玉文 黎雪梅 王福永 王玉亭 阎晓彬 ． ‘r一 — — — 一 一 (北京市太 阳能研究所 ，北京 1呻 3) 文 擒 为减少通常锗硅混晶太 阳电池的异质界面复合及窄能隙引入的体 内复合增强 ，提 出了一 种新型结构锗硅混 晶太 阳电池模型 。对反映 电池阿光生少子运动的参数及物理过程分析后得 出该 模 型少子连续方程 计算结果表 明，该 电池模型 ，在优化条件 下既能减少高浓度锗导致 的复合增 强 ，叉能拓宽长波光谱响应。计算预测的最佳转换效率为 17．2 。 0 引 言 为降低太阳电池的成本，晶体硅薄膜 电池的研究热潮再一次兴起。其主要原因是减少了成 本极高 的电子级硅材料的使用 ，提高了材料的利用率。对通常直拉或浇铸硅锭 ，太阳电池厚度 约 300u．m，在实际电池的制作工艺 中通过切 、磨、抛浪费了大量的材料 。根据 s-材料 的吸收特 性 ，50gm厚的si层能吸收入射光子总数的 9o 以上 ]。对于厚度为 3o0u．m左右的硅太阳电 池 (无论是单晶还是多晶)，材料的利用率不是很高。由于 si的能隙宽度为 1．12eV，吸收边以 外的一些辐射没有利用上。若能拓宽电池的吸收光谱范围，电池的输出功率可望进一步提高。 我们看到，在提高 si太阳电池输出功率同时降低成本方面，还有很大的潜力。为此，许多研究 者从理论和工艺上进行了不少创造性工作。 S．A．Healy和 M．A．Green0。最早在理论上研究了锗硅混 晶异质结太 阳电池 ，他们考虑 了晶格失配和胁变的影响，指出制造锗硅混晶异质结太阳电池关键是减小引入锗硅混 晶所带 来的附加复合的影响。这包括 由胁变调节晶格失配 以避免形成失配位错 。他们的理论分析与 计算机模拟结果表 明：对厚度小于 ]O0u．m 的单晶si电池，加入浓度为 1o一2o 的锗硅混晶区 可 以显著提高 电池效率。在Healy等人的工作 中虽然可 以拓宽吸收范围，但锗浓度有一定的限 制 。 K．Said[a3等人则从理论和工艺上详尽地分析了影响锗硅混晶薄膜太 阳电池效率提高的 因素。他们的工作表 明，P Si／pSiGe异质结可 以减少基区的暗饱和 电流，在发射区和基区结 后引入的 p-si／p—SiGe异质结也可控制发射 区的暗电流，且驰豫的锗硅混晶并无显著 损 失，．，也得到 了提高。理论计算的电池效率可达 l5 ，工艺上实现 电池 (厚度为 15gni)效率达 11．4 ，锗硅混晶电池的扩散长度为 ]O0u．m，位错密度 10--106cm一。但是 ，由于 电池很薄，辐 本文 1999·o909收 维普资讯 4期 李成虎等 ：一种新型锗硅混晶异质结构太阳电池的设计与理论分析 411 射吸收有所限制 ，和文献 [1]相 比，其光谱响应曲线在长波处并未拓宽，而只是利用了吸收系数 的提高。数值模拟表 明，为充分利用驰豫