数字电子技术-第8章 半导体存储器.ppt

第8章 半导体存储器 8.2 只读存储器(ROM) （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存 储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 8.2 只读存储器(ROM) 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 快闪存储器吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点,又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性,而且集成度可以作得很高。下图是快闪存储器采用的叠栅MOS管的结构示意图及符号。 浮置栅一源区间的电容要比浮置栅一控制栅间的电容小得多。当控制栅和源极间加上电压时,大部分电压都将降在浮置栅与源极之间的电容上。快闪存储器的存储单元就是用这样一只单管组成的,如图所示。 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 Y7=m12+m13+m14+m15 【解】 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图： 8.3 随机存取存储器（RAM） 存储矩阵 地址译码器 读写控制器 输入/输出控制 片选控制 片选及输入/输出控制电路 　　当选片信号CS＝1时，G5、G4输