ROM与RAM.docVIP

手机中ROM和RAM的解释 凭着对PDA的兴趣和研究精神，想和大家共同分享和详细探讨一下有关PPC里的ROM和RAM问题。很多老手对于此问题是了然于胸了，但是因为PPC的操作系统构架和PC的不同的缘故，很多新人却是摸不着头脑。也仔细搜索过旧帖，感觉没有可以比较全面介绍这个主题的。可能是觉得小问题提问就行，不必研究太深的原因吧。 在论坛学习多时，所获甚多。现在以自己的一些PC知识抛砖引玉，和各位一起不断努力，更新完善，把此帖作成个这个主题的大全吧。希望能够对新手有益，为论坛的发展尽绵薄之力。 名词解释 1，ROM：Read Only Memory 只读存储器 顾名思义，就是说这种存储器好像写保护的软盘，CD-R一样只可以读不可以写，属于非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）。ROM中的信息一旦写入就不能进行修改，其信息断电之后也仍然保留。有人可能要问，那么原来的数据又是如何写进去的呢？事实上，ROM在刚做好是是没有数据的，在ROM出厂之前，厂家可以通过加电来一次性写入数据，和一次性可写光盘（CD-R）一样， 这种ROM就是大家常说的掩模ROM（Mask ROM）了。这也就是为什么叫做ROM的原因。 ROM的特点是：烧入数据后，无需外加电源来保存数据。断电数据不丢失。但速度较慢。适合存储需长期保留的不变数据。 ROM的发展和分类：IT技术的发展一日千里，人们的需求也在不断提升。人们在要求能无电保存可靠数据的同时，还需要在必要时可以改写里面的数据或程序从而提升性能（当然不是轻易地，随时地改写，否则就并不可靠了）。市场的需求促使技术的发展，新的ROM品种不断地推出，功能不断地多样化。以至于很多人对ROM和RAM的界限开始模糊。下面就来简单对ROM分类一下： -Mask ROM （掩模ROM）：上面已经说过了，一次性由厂家写入数据的ROM，用户无法修改。 -PROM （Programmable ROM可编程ROM）： 和掩模ROM不同的是出厂是厂家并没有写入数据，而是保留里面的内容为全0或全1，由用户来编程一次性写入数据，也就是改变部分数据为1或0。地球人都知道每一位就是一个数据用0或1来代表。 -EPROM（Erasable Programmable ROM电可擦写ROM）： EPROM是通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。 -EEPROM (E2PROM) 电可擦除可编程ROM： EEPROM是通过加电擦除原数据，通过高压脉冲可以写入数据。方便使用当然价格也是很高，而且写入时间很长，写入很慢。 -Flash ROM闪速存储器： 闪速存储器具有结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点，而且集成度可以做得很高，它综合了前面的所有优点：不会断电丢失数据（NVRAM），快速读取，电可擦写可编程（EEPROM），因此在Mobile phone，PC，PPC等电器中成功地获得了广泛的应用。 2，RAM：Random Access Memory 随机存取存储器 随机存取存储器一种存储单元结构，用于保存CPU处理 的数据信息。随机（Random）存取是与顺序（serial）存取相对而言的，意思是CPU可以 从RAM中任意地址中直接读取所需的数据，而不必从头至尾一一查找。 RAM的特点是：内容可以随时刷新，访问速度快，但是掉电后其存储的信息会丢失。 RAM的发展和分类：在RAM 随机存储器中，其中又有SRAM（Static RAM静态RAM）DRAM（Dynamic RAM 动态RAM）。只要只要电源开着，就会保存。而DRAM保存数据的时间很短，需要不断地刷新才可以保持数据。从价格上看，SRAM是非常昂贵的，而DRAM相比很便宜。在2001年，一种新型内存：DDR内存 （Double Data Rate）面世了。对大多数人来说，DDR仍然是一个陌生的名词，然而，它确是数以百计顶级内存和系统设计师3年来通力合作的结晶。DDR的出现预示着内存带宽和性能的全面提高，而DDR的价格更低。DDR与普通同步动态随机内存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。同步动态随机内存（SDR DRAM)将时钟与标准DRAM结合，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。DDR内存与SDR内存工作原理基本相同，但DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据，所以数据传输率可以是时钟频率的两倍。这个和我们的话题扯远了，暂且不提。 PPC中的ROM和RAM 通过以上的讲解，相信大家都看出来了。新一代ROM和RAM的最大差别在于断电是否可以保留信息，而不在于是否可以读写。现在让我们看一下PPC中的