Si刻蚀.docVIP

1.6 Si衬底的使用 在利用溶胶—凝胶法制备B的过程中，衬底的选择非常关键。AB2CO3 型钙钛矿结构如：REBa2SbO6 (RE为稀土元素)；(2)ABO3型钙钛矿结构如：SrTiO3；(3)非钙钛矿结构如：MgO；(4)金属衬底如：Ag。人们尝试在不同的衬底上制备B系Si衬底表面改型 在众多半导体工艺中，刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一要在Si衬底上获得一定的结构就需要刻蚀工艺。刻蚀工艺的目的就是将胶层掩模上的图形尽可能精确地转移到下面的片子上。结构尺寸越小，对刻蚀工艺的要求也就越高。一方面要求高度的各向异性；另一方面要求很高的选择性和均匀性。在实际的生产过程中还要从生产效率的角度考虑，要求高刻蚀速率。 刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀两类。 干法刻蚀方法以等离子体技术为基础。这种方法是将被加工的晶片置于等离子体中，在带有腐蚀性、具有一定能量离子的轰击下，反应生成气态物质，去除被刻材料，此种方法具有各向异性，但设备昂贵，过程复杂，单片成本较高。 化学湿法刻蚀是将晶片浸泡在腐蚀液中，用化学方法除去不要的部分。其最显著的特点是各向同性腐蚀，即图形横向和纵向的腐蚀速率相同但是也有例外，一些腐蚀液对的不同晶面有不同的腐蚀速率，形成各向异性腐蚀，而干法刻蚀这种结构。 Si的化学湿法刻蚀一般分为两种：各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。 各向同性刻蚀顾名思义就是利用腐蚀液对Si的不同晶面具有相同的腐蚀速率。目前各向同性腐蚀液广泛采用HF-HNO3-H2O腐蚀系统[]。其反应原理 (1.1) 由于腐蚀液对Si的各个面的刻蚀速率相同，在一定的掩模的保护下，可以在单晶Si衬底上制备出曲率半径10-15nm，高度1.4μm的Si微尖[]。各向异性刻蚀是指特定的腐蚀液对Si的不同晶面有着不同的刻蚀速率，从而在刻蚀到一定程度后，Si片表面形成终止于最小刻蚀速率面的凹槽结构。许多碱性刻蚀剂均可用于单晶Si的各相异性刻蚀KOH)和氢氧化四甲基铵是常用的Si的各向异性刻蚀剂，其中以KOH为典型代表KOH具有以下优点：选择性好；具有较高的刻蚀速率刻蚀表面光滑；易于控制，操作方便。SiO2是常用的KOH刻蚀单晶Si的掩模材料，SiO2的刻蚀速率远远小于Si，一般热生长的SiO2在50℃的KOH 溶液中与Si的刻蚀速率之比大约为1100，而Si3N4掩模在KOH 中的刻蚀速率更小，所以其选择性很好。但是Si3N4与Si的热膨胀系数相差较大其薄膜在Si片上会出现裂纹甚至脱落根本不能起到掩模层的作用。因此，必须采用以SiO2层为中间层，先在Si圆片上生长一层SiO2，然后再低温沉积Si3N4，这就能保证Si3N4掩模在刻蚀液中牢固可靠。但是利用Si3N4掩模需要SiO2做过渡，这就增加了工艺的复杂性，因此人们仍然在寻找既经济便捷的掩模并且取得了一定的成果[]。由KOH与Si 的反应方程式 可知在Si表面产生不可溶解的残留物 (1.2) K2SiO3，使表面粗糙。为了获得更为光滑的Si表面，人们采用了许多办法例如用恒温磁力搅拌器刻蚀，不仅可以自动匀速搅拌，使溶液保持流通，防止出现局部溶液浓度过低导致反应速率不一样的现象，而且在磁场的作用下，钾、钙、镁盐类分子间引力减小，不易产生坚硬水垢，经反应放出的气体冲击容易离开Si表面，使反应能正常进行[]。将非金属元素碘作为Si的KOH腐蚀液的添加物，在对和单晶Si片的各向异性腐蚀中，可获得更为丰富的异向腐蚀特性和更为光滑的腐蚀表面[]。Chen 等人[]的结果表明在超声搅拌的情况下，获得的Si表面平整度很好，刻蚀的表面也很均匀。实验证明反应中溶液的超声搅拌的强度对刻蚀速率有非常重要的影响，但对刻蚀速率一致性和刻蚀表面的平整度几乎没有影响[]。 由于反应过程中有氢气产生，随着反应进行，产生气体增多如果气体不及时排出，们会聚集在单晶Si和刻蚀液的表面，从而阻止刻蚀液体与Si表面的接触，使反应变慢甚至停止。要解决这一问题除了搅拌之外还经常向KOH溶液中加入异丙醇IPA)，一方面利用IPA的挥发性带走反应气体另一方面亦参加反应。其反应式 (1.3) (1.4) 由上述反应方程可知，首先KOH将Si氧化成含水的Si化合物，然后与异丙醇反应，形成可溶解的Si络合物，这种络合物不断离开Si的表面，最终形成所需要的微结构[]。 单纯的KOH腐蚀液在和Si晶面上的腐蚀速率差别最大，高达400：1。由于111)面的刻蚀速率最小，所以刻蚀最后终止于111)面。IPA的加入会改变单晶Si各个晶面的刻蚀速率，其中对Si100)的刻蚀速率V100)的影响不大，而会使Si110)的刻蚀速率V110)大大下降， 这就有可能使刻蚀最终图形出现(110)面[]。图