第六章 存储器系统 微机原理 第2版 课后答案.docVIP

第六章 存储器系统 本章主要讨论内存储器系统，在介绍三类典型的半导体存储器芯片的结构原理与工作特性的基础上，着重讲述半导体存储器芯片与微处理器的接口技术。 6.1 重点与难点 本章的学习重点是8088的存储器组织；存储芯片的片选方法（全译码、部分译码、线选）；存储器的扩展方法（位扩展、字节容量扩展）。主要掌握的知识要点如下： 6.1.1 半导体存储器的基本知识 1.SRAM、DRAM、EPROM和ROM的区别 RAM的特点是存储器中信息能读能写，且对存储器中任一存储单元进行读写操作所需时间基本上是一样的，RAM中信息在关机后立即消失。根据是否采用刷新技术，又可分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。SRAM是利用半导体触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”；DRAM是利用MOS管的栅极对其衬间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”；ROM的特点是用户在使用时只能读出其中信息，不能修改和写入新的信息；EPROM可由用户自行写入程序和数据，写入后的内容可由紫外线照射擦除，然后再重新写入新的内容，EPROM可多次擦除，多次写入。一般工作条件下，EPROM是只读的。 2.导体存储器芯片的主要性能指标 （1）存储容量：存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息量，以存储单元的总位数表示，通常也用存储器的地址寄存器的编址数与存储字位数的乘积来表示。 （2）存储速度：有关存储器的存储速度主要有两个时间参数：TA：访问时间（Access Time），从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间。TMC：存储周期（Memory Cycle），启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。 （3）存储器的可靠性：用MTBF—平均故障间隔时间（Mean Time Between Failures）来衡量。MTBF越长，可靠性越高。 （4）性能/价格比：是一个综合性指标，性能主要包括存储容量、存储速度和可靠性。 3.半导体存储器的基本结构 半导体存储器的基本结构如下图所示。 ? ? 4.存储器的数据组织 计算机系统中，作为一个整体的一次存放或取出内存储器的数据称为“存储字”，在现代计算机系统中，特别是微机系统中，内存储器一般都是以字节为单位编址，即一个存储地址对应一个8位存储单元（位）。一个16位的存储字占两个连续的8位存储单元。Intel80x86系统中，16位存储字或32位存储字的地址是2个或4个存储单元中最低端的存储单元中的地址，而此最低端存储单元中存放的是16位或32位字中最低8位。 6.1.2 半导体存储器的结构及典型的半导体存储芯片 1.RAM芯片6116的外特性 6116为2K×8位容量的SRAM芯片，片内有16K存储单元，有11条地址线A10～A0用来寻址2K(2048)个地址；8条数据线I/O1～I/O8,字长8位，2048个地址中的每一个地址对应8个存储单元（位），以8条数据线来实现8位数据的读写；3条控制线分别是片选信号、写允许信号和输出允许信号。 　6116的芯片控制信号 I/O引脚 方式 H X X 高阻 未选中 L L H DOUT 读出 L X L DIN 写入 注：X为任意。 为有效电平是6116能工作的必要条件，相当于使芯片工作的开门信号。在有效的条件下，决定6116读或者写的主要条件是。为低电平时写入6116，为高电平，且为低电平时，从6116读出。 2.DRAM芯片2164的外特性 2164为64×1位容量的DRAM芯片，芯片内部有16条地址线，用来寻址64K个地址；1条数据线。64个地址中的每一地址对应1个存储单元，从1条数据线上实现1位数据的读写。要实现8位数据传输，必须采用8个2164芯片，由此可组成64KB的内存。 需要注意的是，2164芯片的外部引脚只有8条地址线（A7～A0），片内有地址锁存器，可利用2条控制线 （行地址选通）和（列地址选通），先由 将8位行地址送到片内行地址锁存器，然后由将后送入的8位列地址送到片内列地址锁存器。而数据线只有2条，一条是输入DIN，一条是输出DOUT。 3.EPROM芯片2732的外特性 2732为4K×8位的EPROM芯片，有12条地址线A11～A0；8条数据线D7～D0；2条控制线；片选信号，用来选择需要读或者编程的芯片；输出允许信号，用来把输出数据送数据线。信号线与编程电源VPP共用二条引线，表示为/VPP。当2732工作于“读”方式时，/VPP接低电平；当2732工作于“编辑”方式时，/VPP接 +21V。而引脚接低电平时，选中该存储器芯片；引脚接高电平时，该EPROM芯片处于低功耗状态。 在2732与CPU连接时，引脚同地址译码器输出相连，/VPP引脚同CP