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内存颗粒编号识别 内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。现在我们就详细列出内存编号的各项含义。（1）HYUNDAI（现代）　　现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为：HY 51 2 V 345 67 8 9 10 11.12-13.14 s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到： 　　其中HY代表现代的产品：51表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；2 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；345 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；67 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；8 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；9 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；10 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；11.12代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；13.14代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。  另外，以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商，但后来被HY兼并。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V 12 34 5 1 6 7 8 9.10 　　　其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；V代表3.3V；12代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；34表示数据位宽(一般为4、8、16等)；5代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；1代表I/O接口：LVTTL；6表示内核版本；7代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；8代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；9.10代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。  以上的内存编号只是属于旧编号，下面是现代最新编号的规则，不过大体上还是相同，这里就不再重复了。 最新SDRAM编号 最新DDRRAM编号 2）SEC（Samsung Electronics，三星）三星内存也是市场上常见的内存芯片之一 。三星SDRAM内存芯片编号规则可以看看下面详细的列表： 除了DRAM，我们还可以了解一下RDRAM的芯片编号：　　　三星RAMBUS DRAM内存芯片编号，以KM418RD8C为例：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （3）Kingmax(胜创) Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一。在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性。　　　Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1