内存芯片容量表.docVIP

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2017-08-11 发布于河南
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内存芯片容量表.doc

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三星颗粒? 　　一、三星颗粒一般以KM开头? 　　二、内存颗粒类型：4表示DDR SDRAM? 　　三、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位? 　　四、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V? 　　五、内存颗粒位数：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit? 　　六、芯片容量及刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]? 　　七、内存BANK：3：4排、4：8排　　八、电压：混合接口LVTTL+SSTL3(3.3V)、1：SSTL2(2.5V)? 　　九、封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)? 　　十、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps) HYUNDAI 　　一、HY是现代颗粒的标志　　二、内存颗粒类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；? 　　三、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　? 　　四、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 　　五、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位? 　　六、内存BANK：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系? 　　七、电压代表：1:SSTL_3、2:SSTL_2? 　　八、芯片版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新? 　　九、功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片? 　　十、封装类型：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，T TG=16mm TSOP-Ⅱ　　　　十一、工作频率：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A Micron（美光）　　一、 MT是代表Micron的产品? 　　二、内存颗粒类型：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus? 　　三、工作电压：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS? 　　四、设备号码　　五、内存容量：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）? 　　六、芯片输出的数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位? 　　七、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60 针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA? 　　八、内存颗粒速度：分为四大类 DRAM SD RAMBUS DDR 　　1、DRAM? 　　-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns? 　　2、SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟频率 @ CL3）? 　　-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz? 　　3、DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟频率 @ CL=2.5? 　　-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz? 　　4、Rambus（时钟频率）? 　　-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns