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科目 823 模拟和数字集成电路设计 命题单位：电子与信息工程学院 考试大纲 模拟课程内容： 半导体集成电路与 CMOS 工艺 CMOS 基本器件与版图设计 1)PN 结基本方程以及击穿电压 2)MOS 管和二极管基本方程 3)无源器件电阻、电容和电感基本特性 4)集成电路工艺相关器件设计 5)闭锁效应 6)版图设计规则以及校验 器件参数特性分析 1)MOS 管输出特性 2)lWOS 管大信号模型与参数分析 3)MOS 管小信号模型与参数分析 4)MOS 管 SPlCE 仿真 CMOS 基本电路 1)MOS 开关基本特性与应用分析 2)有源电阻基本特性 3)电流源/沉基本特性 4)镜像电路基本特性与参数分析 5)基准电源基本特性 7 6)带隙基准源应用分析 CM0S 放大器 1) 放大器分类(输入级、中间级以及输出级) 以及相关搞合效应 2) 反相器分类及参数分析(大信号模型、小信号模型以及频率分析) 3) 差分放大器参数分析、技术指标及设计步骤 4) 共栅放大器参数分析及密勒效应 5) 电流放大器分类及参数分析 6) 输出级放大器应用分类以及参数分析 7) 高增益放大器架构 CMOS 运算放大器 1) 理想运算放大器模型、相关技术指标以及设计步骤 2) 理想运算放大器的频率响应分析 3) 二级运算放大器设计过程示例 4) 二级运算放大器的电源抑制比 5) 共源共栅运算放大器应用设