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2.4 GHz SiGe HBT E类高功率放大器.pdf
第37卷 第2期 电 子 器 件 V01．37 No．2
ChineseJournalofElectronDevices
2014年4月 Apr．2014
2．4GHzSiGeHBT ClassE HighPowerAmplifier
YOU Yunxia，CHEN Lan ，WANGHaiyong， Yuping，LU Zhiqiang
(InstituteofMicroelectronicsofChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China)
Abstract：Fortheneedsofhighpowerandhighefficiencypoweramplifierintherapiddevelopmentofwirelesseom-
munication，a2．4GHzclassE highpoweramplifierwasdesigned，whichwasbasedon Cascodeconfiguration．It
employedsingle-ended and oue stageamplification circuitformat．Allthe devicesincluding inputand output
matchingnetworkswere integrated on chipwhich wasbasedon a0．18 Ixm SiGe BiCMOStechnology newly
researchedinadomesticfoundry．Ithadadvantagesofsimplestructuresandhigh integration．Atthesametime，it
alsoconsidered devices’breakdownvoltage，electromirgationwith high currentand stabilityofhighpowerandSO
on problemstodesignoptimization．Resultsshowed thatthepoweramplifier’Soutputpowercouldreach up to30
dBm ，PAE to39．69％ andmaximum powergainwas14 dB ofpowersupply10V．
Keywords：poweramplifier；classE；cascodeconfiugration；powerdevice
EEACC：1220；2570 doi：10．3969／j．issn．1005—9490．2014．02．014
2．4GHzSiGeHBTE类高功率放大器米
尤云霞，陈 岚 ，王海永，吴玉平，吕志强
(中国科学院微电子研究所，北京 100029)
摘 要 ：针对无线通信飞速发展对高功率和高效率功率放大器的需求，提出了一种Cascode结构的2．4GHzE类高功率放大器。
它采用单端接地和单级放大的电路形式。基于国内新研制的0．18 mSiGeBiCMOS工艺，实现了片内全集成，包括输入与输出
匹配网络，具有结构简单、高集成度等特点。同时，考虑了器件的击穿电压，高电流下的电迁移和高功率的稳定性等问题，并进行
了优化设计。结果表明，在 10V电源电压时，放大器的输出功率高达30dBm，效率PAE为39．69％，最大功率增益达 14dB。
关键词：功率放大器；E类；Cascode结构；功率器件
中图分类号：TN432；TN722．7．5 文献标识码 ：A 文章编号：1005—9490(2014)02—0235—05
随着第 3代移动通信、蓝牙、Wi—Fi与Zigbee等 的热点。
无线通讯的飞速发展，射频收发器要求的性能也越 射频功率放大器的性能同时受到工艺和电路结
来越高。射频功率放大器是其 中的重要模块，它的
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