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电子封装中的铝碳化硅及其应用 1 引言 铝碳化硅AlSiC （有的文献英文所略语写为SiCp/Al 或Al/SiC 、SiC/Al ）是一 种颗粒增强金属基复合材料，采用Al 合金作基体，按设计要求，以一定形式、 比例和分布状态，用SiC 颗粒作增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼 具单一金属不具备的综合优越性能。AlSiC 研发较早，理论描述较为完善，有品 种率先实现电子封装材料的规模产业化，满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高 导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的轻薄微小的发展需 求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用射频系统芯片等封装分析 作用极为凸现，成为封装材料应用开发的重要趋势。 2 封装AlSiC 特性 封装金属材料用作支撑和保护半导体芯片的金属底座与外壳，混合集成电路 HIC 的基片、底板、外壳，构成导热性能最好，总耗散功率提高到数十瓦，全气 密封性，坚固牢靠的封装结构，为芯片、HIC 提供一个高可靠稳定的工作环境， 具体材料性能是个首选关键问题。 在长期使用中，许多封装尺寸、外形都已经标准化、系统化，存在的主要缺陷是 无法适应高性能芯片封装要求。例如，Kovar （一种Fe-Co-Vi 合金）和Invar （一 种Fe-Ni 合金）的CTE 低，与芯片材料相近，但其K 值差、密度高、刚度低， 无法全面满足电子封装小型化、高密度、热量易散发的应用需求合金是由两种或 两种以上的金属元素或金属与非金属元素所组成的金属材料，具有其综合的优势 性能。随之发展的Mo80 Cu20 、Cu/Invar/Cu、Cu/Mo/Cu 等合金在热传导方面优 于Kovar ，但期比重大于Kovar ，仍不适合用作航空航天所需轻质的器件封装材 料。 常用金属封装材料与CaAs 的微波器件封装需求存在性能上的差距，使得研发 一种新型轻质金属封装材料，满足航空航天用器件封装成为急需，引发相关部门 调试重视。经过近些年来的深入研究，AlSiC 取得产业化进展，相继推动高硅铝 合金Si/Al 实用化进程，表2 示出其主要性能与常用封装材料的对比。将SiC 与 Al 合金按一定比例和工艺结合成 AlSiC 后，可克服目前金属封装材料的不足， 获得高K 值、低CTE、高强度、低密度导电性好的封装材料。 从产业化趋势看，AlSiC 可实现低成本的、无须进一步加工的净成形 （net-shape ）或需少量加工的近净成形制造，还能与高散热材料（金刚石、高热 传导石墨等）的经济性并存集成，满足大批量倒装芯片封装、微波电路模块、光 电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求，同时也是大功率晶体管、绝缘 栅双极晶体管的优选封装材料，提供良好的热循环及可靠性。 3 封装AlSiC 类型 封装金属基复合材料的增强体有数种，SiC 是其中应用最为广泛的一种，这是 因为它具有优良的热性能，用作颗粒磨料技术成熟，价格相对较低；另一方面， 颗粒增强体材料具有各向同性，最有利于实现净成形。AlSiC 特性主要取决于SiC 的体积分数（含量）及分布和粒度大小，以及Al 合金成份。依据两相比例或复 合材料的热处理状态，可对材料热物理与力学性能进行设计，从而满足芯片封装 多方面的性能要求。其中，SiC 体积分数尤为重要，实际应用时，AlSiC 与芯片 或陶瓷基体直接接触，要求CTE 尽可能匹配，为此 SiC 体积百分数vol 通常为 50%-75%，表3 示出某厂家产业化净成形AlSiC 级别的详细情况。 此外，AlSiC 可将多种电子封装材料并存集成，用作封装整体化，发展其他功 能及用途。研制成功将高性能、散热快的Cu 基封装材料块（Cu-金刚石、Cu-石 墨、Cu-BeO 等）嵌入SiC 预制件中，通过金属Al 熔渗制作并存集成的封装基片。 在AlSiC 并存集成过程中，可在最需要的部位设置这些昂贵的快速散热材料，降 低成本，扩大生产规模，嵌有快速散热材料的AlSiC 倒装片系统正在接受测试和 评估。另外，还可并存集成 48 号合金、Kovar 和不锈钢等材料，此类材料或插 件、引线、密封环、基片等，在熔渗之前插入SiC 预成型件内，在AlSiC 复合成 形过程中，经济地完成并存集成，方便光电器件封装的激光连接。 采用喷射沉积技术，制备了内部组织均匀、性能优良、Si 含量高达70wt% （重 量百分率）的高硅铝合金 SiAl 封装材料，高硅铝合金CE 牌号的性能如表4 所 示，由于其CTE 与Si、GaAs 该匹配，也可用于射频、微波电路的封装及航