SiGe%5cSi+HBT和其Si兼容工艺研究.pdfVIP

SiGe／Si HBT及其Si兼容T艺研究 廖小、F 李主k1 刘融· 魏敬和- 魏同』：t 许居衍二 (I寺、I*夫’’#微电于一㈠0南玳：1009t52无锡华*_}l央研究所j 摘砭 拢仃j埘SiGe，Si HBT及其s-兼备I岂进}『r研究．n·斜宄Jr¨一此关健的单J日上艺 的摹础上，提ii：了^个高速SiGe／SiHBT站十f_『和个住咏击slGe／slttBT结构．j}已初步 SaGe／Si 研制成功台阿结构s1GdslHBT和低噤i HB，』．为进一步高指标的SiGe／SiHBT 的研宄建也r壤础 关键间 StGc／SlItBT S1兼锌上艺 ÷，。譬、J= l 前言 SiGe／Si HBT(hctcr01uncllonbipolartransistor)是n-踊摹上以sl作发射区和集电压，以 SlGc f1I革{墨的肄质结双械犁晶体管”l【11“．这得益川M‘℃微结构趔薄层生长技术的新颖 器件结构突破丁si的碣限性：H{州仃能“结构为间接带隙、|}。F衡载流子的奉征寿命比 卣接带隙的GaAs天．个数量搬、裁流j’J工移卒比GaAs们t得等，佳，导Sl微电二J’技术向坦 『岛速度发展，因此，SiGe／SiHBT州¨帆作抛种诱人的新型2≥件引起『L‘泛的注F{，并 订很大的发展我们卜1997年接嗳“儿}L”攻关IⅢf1：stGe／slHBT7乏其s1兼容T艺研 、冗这 …舂蕾J、：粜题．L通过叶1州≯’fI|=，斗、丑计研带I过攫一扣的l芝：，J面的天键技术和 SlGe／Sl HBT器什???}≈1oSl兼‘件技牝进{j州述 2 夭键j女术 为实I见slGe／sl HBT与SlL：艺兼容，¨{j。slGeL：的特殊。陀J是防止。高温下SiGc层的 应嵌驰豫oJB跺r御Gc原r的外扩散．我们就儿个天鳢的单J日[艺，包{5浔法腐蚀Sl 厦SiGe技术、}法惰t‘中SJ硬SIGe技牝，SiGe，slHBT制备过程cl一高f；L入、参属化、合 金退火等低温1艺、低温APCVDsIO．尤女l：、刻蚀技术．slGe／sL HBT』．g66硅生长技术． 进{J：『f笨八的≮蝣酬究，街到如【、5个，J面销泶： 山』SlGc—sI钟幔f，‘，处的品恪火配．馒slGc块I薹生l乏为J、t蹙层，这对^i面的1‘艺提· ⅢJ’低温喽求．以防止』、i变业豫以幢sIGe甚区中硼(B)的再扩散 酸rt、碱性腐蚀液对S*Gc与Sl的惰蚀具仃较大的选择比．KOH碱f乍腐蚀系统对Si i壬有较火的幢蚀速；#．，勺时S,Gc则}史m．fj』玎返}土r：Ir良好地腐蚀…望fi台面．||J时 356 可产生一些帽缘式器件结构以大大缩小器件尺寸，酸性腐蚀液对SiGe腐砬速度较快，在 我们的设计中对酸性嚆蚀液的腐蚀采用柏本征层阻挡的方法巧妙地解决了这一问题。 Si／SiGe／Si结构界面的生长是个非常敏感的问题．界面质量(界面态．失配度等)的好坏 对器件的直流和交流一rk能，尤其是噪声性能具有很夫影响．在我们的实验中除了采用国外 报导的本，征i-SiGe层外，同时在其卜生长、层l。Si，j、咩l故的目的有：I)防止硼(B)再扩 散；2)降低EB结电容：3)减小EB结隧穿电流；4)提鬲击穿电压；5)便于后工序处理 等。因此，如何保证J层的生长是非常重要的问题。 对于欧姆接触问题．我们作了以下考虑，由于SiGe／SiHBT中基区采用SiGe材料， 其欧姆接触与sl有所不同．采用儆}基本}能解决目自6较大器件尺寸的欧姆接触问题。 对于器件微波性能测试，工作在微波波段的晶体管，由于工作频率很高，E、B、c 电极的分布参数(引线电感及分布电容诃i可忽略，同时在引线上的损耗非常严重．影响 SiGe／Si HBT的引线需要仔细考虑。 HBT的高颜性能，因此．对微渡驾i(记／Si 在有关单项工艺研究的基础上，利萌台面结构已研制出其有一定直流性能和微波性能