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1999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集439 毫米波NiZn铁氧体 张国荣 国营金宁无线电器材厂 南京210028 行器的插损由08dB降到0．6dB，器件的插损得到了很大的改善。 1前言 随着宽带毫米波铁氧体器件的发展，首先必须对『每饱和磁化强度4nMs铁氧体进行深入的研究。 众所周知，能满足毫米波铁氧体器件应用的材料只有NiZn、LiZn两种尖晶石铁氧体。本文主要讨论 但NiZn铁氧体由于各向异性场K1／Ms比较大，磁损耗尤其是低场损耗较大，对毫米波宽带器件不利， 为改善磁损耗，降低宽带毫米波铁氧体器件的插损，须研究这种铁氧体的掺杂和烧结工艺，从而获得 较好磁性能的毫米波NiZn铁氧体。 2理论研究 纯Ni铁氧体通过掺丑p离子复合成Ni，．)(Z叱Fe,O。系列铁氧体，其铁氧体中离子分布位置如下 (zll：(“Fe}，)fNiFe纛104