14101平时1-8次作业参考答案.docVIP

141011/12及141091平时作业参考答案 第一次作业 1、什么是摩尔定律？摩尔定律对集成电路的发展有和意义？ 2、为什么绝大多数的集成电路都采用了Si半导体？ 答：目前，95%以上的集成电路都采用了Si半导体，其原因是：①Si元素占地壳重量的20%-25%，制备Si单晶的石英岩（主要成分是SiO）75％以上。直拉法制备Si单晶的优点是：1）成本低；2）能制备更大的圆片尺寸，6英吋（150mm）及以上的Si单晶制备均采用直拉法，目前直拉法已制备出400mm（16英吋）的商用Si单晶；3）制备过程中的剩余原材料可重复使用；4）直拉法制备的Si单晶位错密度低，0～104cm-2。直拉法制备Si单晶的主要缺点是，由于使用坩埚，Si单晶的纯度不如区熔法。 区熔法制备Si单晶的主要优点是，由于不使用坩锅，可制备高纯度的硅单晶，电阻率高达2000Ω-mm，因此区熔法制备的Si单晶主要用于功率器件及电路。区熔法制备Si单晶的缺点是：1）成本高；2）可生产Si单晶的尺寸较小，最大为150mm直径；3）位错密度较直拉法高，在103～105cm-2之间。 第二次作业 4. 证明硅热氧化时，生成厚度为zox的二氧化硅膜，约需消耗0.45zox厚的硅层（二氧化硅的密度为2.24g/cm3；硅的密度为2.33g/cm3）。 5. 某npn硅晶体管在1200℃下进行基区氧化，氧化过程为：15min干氧加45min湿氧（TH2O=95 ℃）再加15min干氧，试求所生成的氧化层厚度。 解：1）第一次是干氧氧化，T=1200℃,查表得，，。根据氧化公式， 则第一次干氧氧化层厚度为，； 2）第二次是湿氧氧化，T=1200℃，查表得，。 根据氧化公式，第一次干氧氧化所对应的时间常数为 故，第二次湿氧氧化后氧化层的厚度为 ，； 3）第三次又是干氧氧化，T=1200℃，，。 同理，第二次氧化后的氧化层厚度所对应的时间常数为 ， 故，根据氧化公式，第三次干氧氧化后氧化层的厚度为，。 答：最终的氧化层厚度为726.87nm（0.727μm），可得 t+t*=( Zox2+ A ·Zox)/ B，或。 ①干氧，T=1200℃，A=0.04(μm)，B=7.5×10-4(μm2·min-1)，t*=1.62 根据上述公式，可得t1+t*=6min，故， 干氧氧化时间t1=6-1.62=4.38min。 ②湿氧，T=1200℃，TH2O=95℃，A=0.05(μm)，B=1.2×10-2(μm2·min-1)，t*=0 根据上述公式，可得t2+t*=0.42min，故 湿氧氧化时间t2=0.42-0=0.42min。 ③水汽，T=1200℃，A=0.017(μm)，B=1.457×10-2(μm2·min-1)，t*=0 根据上述公式，可得t3+t*=0.23min，故、 水汽氧化时间t3=0.23-0=0.23min。 7.某一硅片上面已覆盖有0.2μm厚的二氧化硅，现需要在1200 ℃下用干氧再生长0.1μm厚的氧化层，问干氧氧化的时间需要多少？ 解：查表，可得A=0.04μm，B=7.5×10-4。 根据公式，可得初始氧化层xi=0.2μm所对应的时间常数为 =（0.22+0.04x0.2）/7.5×10-4=64min(分钟) 氧化层的总厚度为x0=0.2+0.1=0.3μm，故根据氧化公式， ， 可得干氧氧化时间t为 =136-64=72min（分钟） 答：干氧氧化的时间需要72分钟。 第四次作业 8、在实际工艺中，扩散为什么要采取两步工艺法？两步扩散工艺的最终浓度是哪知分布？ 答：根据扩散杂质的浓度分布，若采用一步扩散，其表面浓度NS始终是其在Si中的固溶度，不能改变。若采用两步扩散工艺，则其表面浓度可在第二步的再分布扩散中进行调整，从而达到设计的要求。 两步扩散工艺的最终浓度分布要根据两步扩散工艺的具体情况而定，若第二步再分布工艺的扩散时间远大于第一步预淀积扩散，即D1t1 D2t2，则最终浓度由再分布起决定作用，是高斯分布，；若第二步再分布工艺的扩散时间远小于第一步预淀积扩散，即D2t2 D1t1，则最终浓度由预淀积起决定作用，是余误差分布。 9、什么是氧化增强扩散？为什么As的氧化增强扩散比B、P小？为什么Sb的氧化扩散不是增强，反而减弱了？ 答：在进行氧化气氛下的扩散工艺时， P、B掺杂剂的扩散速率比没有氧化气氛时明显增大，这就是氧化增强扩散效应。P和B的氧化增强机理是替位-间隙交替的双扩散机理，即Si-SiO2界面产生的大量间隙Si与替位B、P相互作用，使原来替位机理的B、P变为间隙B、P，B、P的间隙扩散作用更强；B、P在近邻晶格有空位时以替位方式扩散，无空位时以间隙方式扩散；因此