可满足研制部分屏蔽电子枪需求的磁场数值计算方法.pdfVIP

可满足研制部分屏蔽电子枪 ， 需求的磁场数值计算方法 孙璃 周小梅 (北京真空电予技术研究所北京1000i6) 搐要本文首先闱述了部分屏蔽1n子枪的优点和这类电予枪的设计对磁场的要求．文章介绍了 一种磁场数值计算方法，使用这种计算方法可以求取沿系统纵轴的磁场强度分布和电子枪、过渡区的 磁力线分布．能够基本上适应韶分屏蔽电子枪设计的要求．文章还提供了模拟计算实例． 一．刖 置 部分屏蔽电子枪是指穿越处于正常聚焦碰场中电子注横截面的总磁通的一部分．同 时穿越阴极的那种电子枪。当电子枪区存在磁场时，电子注的最佳聚焦磁场强度将变得 比布里渊磁场大，且电子注的性能发生了质的变化．据多篇有关文献的阐述。部分屏蔽 电子枪产生的电子注．在保持收敛注屯子枪的主要优点的同时，具有许多好的性能，主 要表现为：(1)由于磁场的引导和约束作凡{，从阴极发射出来的电子的热速度受到抑制． 电子注将具有很鲜明的边界。对于高压缩比电子枪或电子注比较细小的情况，这种性能 特别重要。(2)电子枪阴极处存在磁场．并且电子注处于增强的磁场中．这种电：于注的旋 转速度慢，脉动幅度比较小，刚度和稳定性好，对各种工作条件变化的灵敏度低．因此 采用部分屏敲磁场的方案是设计高性能电子枪的一个良好途径． 二． 部分屏蔽电子枪对磁场的要求 部分屏蔽电子枪的设计计算比较复杂困难。相关的磁场设计计算是部分屏蔽电子枪 的设计计算工作一个重要的组成部分．部分屏蔽电子枪的磁场设计计算工作，在完成一 般的设计计算任务外。应该实现如下目标： (1)协调阴极中心处磁场强度和正常聚焦磁场强度的相应关系．根据有关文献论述，它 们应该具有如下关系： ● B：尘 ,／1一K2 上式里的皿是布里渊磁场．上式分母中的足为屏蔽系数： K：里莲 (2) B·喀 可将X理解为阴极面所环链的磁通和电子注横截面所环链的磁通之比值． (2)保证通过阴极面和通过附极平面处电子注横截面的磁通量一致。 (3)在电子枪区里保证电子注行进轨迹与磁力线相吻合。 图一形象化地表现出上述儿项要求。 ■ 囤一．部分屏蔽电于枪的电子轨迹和磁力线 根据上述磁场设计计算任务可见，设计计算部分屏蔽电子枪．不仅仅需要知道沿系 统纵向轴的磁场强度分布数据．还要求了解某些区域里的磁力线分布，方能比较磁力线 与电子注轨迹的走向，判别磁场分布是否适台要求。如若使用常规设计计算方法或测量 方法实施这项工作会有一定的困难。我们有一个磁场数值计算程序可以初步胜任上述磁 场模拟计算任务。 三．磁场数值计算方法 我们有一个磁场数值计算程序，可以模拟计算一般的行波管等的磁聚焦系统．该数 ● 值计算程序采用有限元素法．以磁矢挝位为基本计算鼙．在磁矢量位的基础上经过适当 的处理，可以获取电子枪区和互作用区等的磁场强度分布数据．以及感兴趣区域的磁力 线走向，也可以将磁场分布数据传送给电子轨迹计算程序．供其计算电子在静电、静磁 复合场里的运动轨迹。在不进铜：任何零、部件制作的情况‘F，对管子磁系统进行模拟计 算，并在此基础上进行设计方案的优化． ， 我们使用这个方法作了些试验性的模拟计算工作，可以通过调整铁屏的厚度、形状 和所开孔径的大小，优化磁聚焦系统．以期获取能够同时比较好地满足磁场强度分布、 磁通量分布等各项要求的碰聚焦系统。 图二示出一个周期永磁聚