Mg／Al掺杂ZnO结构与光学性质第一原理研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于河北
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第 1期纳米科技 V01．12No．1 2015年 2月 Nanoscience＆Nanotechnology February2015 Mg／AI掺杂ZnO结构与光学性质第一原理研究吴为，苏甲寅 (西安文理学院物理与机械电子工程学院，陕西西安710065) 摘要：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，XtMg、A1不同浓度掺杂的zn0进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于M塬子电子分布和zn原子的差异，zn_4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于A1的价电子比Zn多一个，掺杂A1使ZnO成为n型掺杂半导体，导致zn0的导电性增大。从对二者的光学生『质的分析可以看出，掺杂M垢并没使 ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。关键词：第一性原理；电子结构；光学性质 ElectronicStructureandOpticalPropertiesofM g／AIDopedZnO byFirse—principlesCalculation WUWei。 SUJia-yin (DepartmentofPhysics,XianUniversityofArtsandScienc~Xi’an710065，China) Abstract：Underthegeneralgradientapproximation，thebandstructure，electronicdensityofstatesand opticalpropertiesofMg／A1dopedZnOhavebeeninvestigatedbaseonthefirst-principlescalculationof densityfunctionaltheory．Theresultsshow thatbandgap expandsbecauseofthedifferenceofthe electronicdistributionofMgatom betweenZnatom，Zn-4selectronsmovetoplaceofhigh-energy，and Valence band keepsitself．A1doped-ZnO becomes the n——type doped semiconductorand the correspondingConductivity increasesbecauseA1atom hasonevalenceelectron than Znatom，．By analysistheopticalpropertiesoftheboth，theresultshow theabsorptionedgeofabsoprtionspecturm of ZnO nevermovebyMgdoped it，andtheabsoprtion edgeofZnO movetoplaceofShortwavebyA1 dopedit，SOastheblueshiftappeared． Keywords：first-principle；thesturctureofelectronic；opticalproperties ：1812-1918 (2015J01-001l_05 收稿日期：2014—09—03 l1 第 12卷第 1期基础理论研究 V0l_l2No．1 2015年 2月 B