掺磷a_Si_H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究.pdfVIP

SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS 　Vol . 28 No. 1 Feb. 2007 材料 、结构及工艺 掺磷 aSi ∶H 红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究 史 　磊 , 李 　伟 , 匡跃军 , 廖乃镘 , 蒋亚东 ( 电子科技大学 光电信息学院, 四川 成都 610054) 摘 　要 : 　用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料 ,对薄膜的电阻 ( 率以及电阻温度系数进行了详细研究 。结果表明 ,掺磷 aSi ∶H 薄膜的电阻率随磷掺杂比 P H / 3 Si H4 ) 的增大和气体温度的升高而降低 ,但随退火温度的升高而增大 ;掺磷 aSi ∶H 薄膜的电阻温 度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大 ,但随环境温度的升高而降低 。 关键词 : 　等离子体增强化学气相沉积 ; 掺磷非晶硅薄膜 ; 电阻率 ; 电阻温度系数 中图分类号 : TN 302 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2007) 0 1 - 0080 - 03 Study on the Resistivity and TCR of Pdoped aSi ∶H Thin Fil ms SH I L ei , L I Wei , KU AN G Yuej un , L IA O N aiman , J IAN G Yadong ( School of Optoelectronic Inf ormation , University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu 610054 , CHN) Abstract : 　Pdop ed hydro genat ed amorp hou s silico n (aSi ∶H) t hin film s are dep o sit ed by p la sma enhanced chemical vap or depo sition ( P ECVD ) , and t he re si stivit y and t emp erat ure coefficient of re si st ance ( TCR) of t he t e sting film s are inve stigat ed ext en sively . It i s ob served t hat t he re si stivit y of Pdop ed aSi ∶H t hin film s decrea se s bot h wit h t he enhancement of P H / Si H 3 4 ratio and wit h t he ri se of ga s t emp erat ure , but increa se s wit h t he advance of annealin g t emp erat ure aft erwar ds. The TCR of Pdop ed aSi ∶H t hin film s increa