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下篇 电子技术 模拟电子技术 半导体器件 基本放大电路 集成运算放大器 直流稳压电源 二极管电路分析举例 (3)当 IB = 0(将基极开路)时，IC = ICEO，表中 ICEO 0.001 mA = 1 ?A。 (4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置，集电区才可收集从发射区发射过来的电子。 放大的实质: 用小电流（的变化）通过三极管的电流控制作用，去控制 一个较大的电流（的变化）。 或：用小能量的信号通过三极管的电流控制作用， 将放大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。 晶体管的电流分配和放大原理 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 扩散到基区并到达集电区边缘的自由电子不断被拉入集电区，而形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 晶体管的电流分配和放大原理 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数： 集－射极穿透电流， 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0，则 IC? ICEO 晶体管的电流分配和放大原理 三极管内部载流子的运动规律 Flash链接 自由电子 空穴 共价键 Si Si Si Si 本征半导体中自由电子和空穴的形成 本征半导体在获得一定能量(热、光等)后，少量价电子受激发后会成对产生自由电子和空穴。 温度愈高，晶体中产生的自由电子和空穴便愈多。 在一定温度下，自由电子和空穴的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 自由电子和空穴同时又不断复合。 本征半导体 本征半导体的导电机理 空穴可以看作带正电的粒子。 当半导体两端外加电压 时，在半导体中将出现两部分 电流 ： (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 本征半导体 自由电子 空穴 共价键 Si Si Si Si 本征半导体中自由电子和空穴的形成 　　在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流。 空穴移动方向 电子移动方向 外电场方向 Si Si Si Si Si Si Si 本征半导体的导电机理 　　带正电的空穴不断吸引相邻原子中的价电子来递补填充，可以看成空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流。 本征半导体 　　可见自由电子和空穴是半导体中有两种载流子。 本征半导体 本征半导体的导电机理 注意： (1) 本征半导体中载 流子数目极少，其导电性 能很差； (2) 温度愈高，载流 子的数目愈多，半导体的 导电性能也就愈好。所以， 温度对半导体器件性能影响很大。 Flash链接 空穴移动方向 电子移动方向 外电场方向 Si Si Si Si Si Si Si 14.1.2 N 型半导体和 P 型半导体 1. N 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入五价元素磷。 Si Si Si Si Si Si Si P 多余价电子 　　本征半导体中参入微量的杂质(某种元素)将使其导电能力大大增强。 　　参杂后自由电子的数量大大增加，是多数载流子，空穴是少数载流子，将这种半导体称为 N 型半导体。 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 P+ 2. P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入三价元素硼。 Si Si Si Si Si Si Si B 空位 空穴 价电子填补空位 接受一个电子变为负离子 相邻硅原子的价电子很容易填补这个空位，而在该原子中便产生一个空穴。 B 参杂后空穴的数量大大增加，成为多数载流子，电子是少数载流子，将这种半导体称为 P 型半导体。 B- 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 1. 在杂质半导体中多数载流子的