电工第十九讲.pptVIP

温度对晶体管特性的影响 对晶体管输出特性的影响 场效应管与晶体管的比较 放大的概念: 3、共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直流通路和交流通路 例： 作业： 试根据放大电路的组成原则，判断题图所示各电路是否具有放大作用，并阐述理由。设题中所有电容对交流信号均可视为短路。 3.1.1 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 上页 下页 极限参数 返回 对输入特性的影响 上页 下页 返回 上页 下页 返回 1.6 绝缘栅场效应晶体管 1.6.1 基本结构和工作原理 上页 下页 返回 1.6.2 特性曲线和主要参数 1.6.3 简化的小信号模型 概述 上页 下页 返回 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOS）。 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 增强型 耗尽型 按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型和增强型两种。 因而就出现了四种不同形式的场效应晶体管，它们是： 1.6.1 基本结构和工作原理 1.结构 B G栅极 D漏极 SiO2 B D G S P型硅衬底 S源极 N沟道增强型结构示意图 图形符号 上页 下页 返回 N+ N+ 2.工作原理 D与S之间是两个 PN结反向串联，无论 D与S之间加什么极性 的电压，漏极电流均 接近于零。 (1) UGS =0 结构示意图 衬底引线B UDS ID = 0 G D S P型硅衬底 SiO2 栅源电压对导电沟 道的控制作用 上页 下页 N+ N+ 返回 S D (2) 0 UGS UGS(th) 由栅极指向衬底方 向的电场使空穴向下 移动,电子向上移动。 UDS SiO2 G D S B 结构示意图 P型硅衬底 N+ N+ ID = 0 UGS 在P型衬底表面形 成耗尽层。 上页 下页 返回 (3) UGS UGS(th) 栅极下P型半导体表 面形成N型导电沟道。 当D、S加上正向电压 后可产生漏极电流ID 。 N+ N+ SiO2 G D S 耗尽层 B P型硅衬底 UGS N型导电沟道 ID 上页 下页 返回 UDS 由上述讨论可知: UGS愈大，导电沟道愈厚,在UDS电压作用下,电流ID愈 大。即通过改变电压UGS的大小可以改变漏极电流ID的 大小。 随着栅极电压UGS的增加，导电沟道不断增加的场效 管称为增强型场效应管。 场效应管只有一种载流子参与导电,故称为单极型晶 体管。普通晶体管中空穴和电子两种载流子参与导电 称之为双极型晶体管。 上页 返回 下页 上页 返回 下页 0 UDS/v 10 20 1 2 3 4 ID / mA UGS = 0 V UGS = -1 V UGS = -2 V UGS = 1 V 可变电阻区 线性放大区 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 ID/mA 0 UGS/V -2 1 2 UDS = 10 V IDSS 输出特性 转移特性 1.6.2 特性曲线和主要参数 UGS(off) UGS ID=IDSS(1? )2 上页 返回 下页 增强型MOS管的转移特性 NMOS管 PMOS管 UGS 0 ID UGS（th） UGS 0 ID UGS（th） ID=IDO( ?1)2 UGS UGS(th) gm=?ID / ?UGS? UDS =常数 跨导 主要参数 上页 返回 下页 夹断电压UGS(off)：是耗尽型场效应管当ID为一微小电流时的栅源电压。 * 最大漏源击穿电压U(BR)DS:漏极和源极之间的击穿电压。 * 最大漏极电流IDM，最大耗散功率PDM 。 * 低频跨导gm：在UDS为某一固定值时，漏极电流的微小变化和相应的栅源输入电压变化量之比。 * 栅源直流输入电阻RGS：栅源电压和栅极电流的比值。 * 开启电压UGS(th)：是增强型场效应管当漏源之间出现导电沟道时的栅源电压。 * 饱和漏电流IDSS：耗尽型场效应管在UGS=0的情况下，当漏源电压大于夹断