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电 子 科 技 大 学 工程硕士学位论文开题报告 44 中国电子科技集团公司第四十四研究所 报告人： 田坤（四十四所） 目 录 目 录 一、选题名称 二、目的意义 三、研究内容与方案论证 四、可能存在的问题 五、研究条件 六、进度安排 一、选题名称 新型650nm激光发射器件技术研究 选题名称 二、目的意义 研制可用于大型侦查系统的650nm半导体激光器，器件需要满足以下几点技术要求： 工作波长：650±15nm； 光谱半宽：≤5nm； 阈值电流：≤120mA； 输出功率：≥80mW（CW，T=20℃,工作电流≤150mA）； 输出稳定度：±0.05dB/20℃/3h； 光束：光斑直径小于5mm（透镜输出，距离光源500mm平面上测量）； 外形尺寸：≤Φ30mm×25mm 或≤30mm×30mm×25mm； 重量：≤100g； 工作温度：-40℃～65℃； 储存温度：-50℃～80℃； 致冷器工作电流：≤1A 目的意义 研究内容与方案论证 有源层结构 波导结构 腔面镀膜 三、研究内容与方案论证 ●芯片的设计与制造 ●封装设计 管壳设计 准直光路设计 研究内容与方案论证 有源层结构 图1 650nm波段的GaInP/AlGaInP激光器结构示意图 波导结构 研究内容与方案论证 量子阱半导体激光器中，波导层在量子阱的外侧，被低折射率的限制层所包夹。在平面波导半导体激光器中，需要考虑两种光波导。一种是在垂直于结平面方向上，低折射率的限制层包夹高折射率的波导层，这种波导结构利用全反射将光场限制在中心层内。另一种是在平行于结平面的方向上，由光损耗区包围光增益区的结构，即增益导引结构。 脊波导结构等侧向折射率导引结构比较符合项目要求 ，不易造成基侧模选择困难。 图2 使用Cl2/CH4/H2混合气体ICP刻蚀制作的InGaAsP波导 腔面镀膜 研究内容与方案论证 图3 650nm波段（HfO2/SiO2）^8 HfO2高反膜反射率曲线 当膜层反射率合适时，会对激光器的降低阈值和提高斜率效率起到积极的促进作用。选取抗激光损伤阈值较高的氧化物薄膜作为膜层制作材料。 封装设计 研究内容与方案论证 一般的TO管壳尺寸较小，致冷器的体积不适合放置于TO管壳中，蝶形封装形式内部空间较大，可以将致冷器与准直系统同时放置入壳体，但直接出光线需对壳体进行改造。 为了能达到较好的散热效果，管壳底板应采用导热系数较高的钨铜材料（表面镀金）。 管壳设计 封装设计 研究内容与方案论证 图4 650nm GaInP/AlGaInP激光器准直光路示意图 650nm的GaInP/AlGaInP激光器的水平和垂直发散角一般在10°和40°范围内，激光器的发散角越大，光斑的尺寸越大，经透镜准直后要在500mm的距离上保持平行光束传播，则准直后的发散角不得超过0.6°。 准直光路设计 封装设计 研究内容与方案论证 图5 图a、b、c分别为水平和垂直发散角为10°和40°的650nm激光束的原始 光斑、传播500mm后的光斑、保持0.6°发散角传播500mm后的光斑 准直光路设计 可能存在的问题 可能存在的问题 激光器芯片方面： 功率高，阈值低，斜率效率大于0.8W/A，对量子阱材料生长要求较高。 激光器封装方面： 该器件主要对光斑和工作温度有较高要求，因此器件封装结构中必须包括制冷器和光束整形系统。常见的TO封装由于接触散热面积小，内部空间有限，将不能满足大功率器件散热需要； 常见的半导体激光器件，一般采取直接出光（TO封装）和光纤耦合出光（蝶形封装）两种输出方式，该器件要求直接出光，但通常的TO封装（管帽带透镜）很难保证在长距离上（500mm）形成较小的光斑，若在TO封装内部安装光束整形光学元件，改造普通的的TO封装，成本又会较高。 可能存在的问题 可能存在的问题 激光器芯片方面： 功率高，阈值低，斜率效率大于0.8W/A，对量子阱材料生长要求较高。 激光器封装方面： 该器件主要对光斑和工作温度有较高要求，因此器件封装结构中必须包括制冷器和光束整形系统。常见的TO封装由于接触散热面积小，内部空间有限，将不能满足大功率器件散热需要； 常见的半导体激光器件，一般采取直接出光（TO封装