HEMT器件2DEG沟道退化相关机理研究.pdfVIP

HEMT器件2DEG沟道退化相关机理研究 崔晓英黄云 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室； 信息产业部电子第五研究所，广州，510610 要包括界面态密度和离子扩散两个方面，阐述了器件性能退化与这两种机理的关系，为H删T器件可靠性的 进一步研究做了铺垫． 关键词：HEMT器件2DEG异质结界面态离子扩散 、1．引言 由于HEMT(高电子迁移率晶体管)在高频和低噪声以及功率性能方面的优越性，所 以在微波和毫米波方面得NT广泛的应用【ll。因此，HEMT成为当今微电子领域中最前沿的 还不全面，还有待于进一步深入研究。 HEMT的性能主要依赖于所用结构材料的二维电子气性质，也就是说依赖于外电场作 J{j下HEMT结构材料中二维电子气的输运性质。器件参数观察到的退化有时归结于有源沟 2DEG的非限定性所引起的沟道中屯子密度的减少被认为是己观察到的失效机理的原因 121131。金属扩散相关的机理也被证实是与沟道相关的退化【4】。因此，对于异质结界面性质和 金属扩散机理的研究对提高HEMT器件的可靠性是非常有意义的。 HEMT的结构特点 高电子迁移率晶体管(HEMT)采用调制掺杂提高沟道中载流子的迁移率。在初期的 AIGaAs／GaAs 的数量，其材料结构和能带结构见图l。载流子被限制在GaAs层中的势阱内，形成一个二 子分隔开，确保了沟道中的高迁移率。 n．Ga缸孵甚 ＼l／／ 嚣 司 矿。 厂一哥 彳| 图I AIGaAs／GaAs HEMT材料和能带结构图 ·275· n．GaAs孵层 nAIGaAs施主屡 i AIGaAs问隔层 ；InGaAs溺逆 翅 i GaAs缓冲展 罄 惆 $／L缓》1t法 i C_“aAs缓冲屠 SlGaAs丰寺底 AIGaAs／InGaAs 图2 HEMT材料和能带结构图 更优越的电子传输性能，其材料结构和能带结构见图2。一般情况下，电子是由A1GaAs或 界面处的导带不连续性更大，因而大大提高了异质结势阱内的2DEG的聚集作用，可获得更 在沟道内的输运特性，使场效应晶体管(FET)中的“短沟道”效应减弱，这更有利于毫 米波HEMT性能的发挥。 3．异质结界面态密度对2DEG的影响 由于界面态的存在，一方面沟道中的电场将发生变化，在沟道方向电场随界面态密度的 增加而增加。电子在高电场中受到的品格散射增加，使沟道中电子的迁移率降低，另一方面 界面态还会形成散射中心也会降低电子的迁移率，从而降低了HEMT器件的跨导。 利用Wang和Ku建立的HEMT直流特性分析计算机辅助模型【5叫，然后考虑界面态的因 素，对原有的模型进行修正。在此基础上计算得到了A1GaAs／GaAsHEMT有界面态存在 时的I．V特性和HEMT器件跨导，来详细分析界面态对HEMT跨导的影响。 图3给出了AIGaAs／GaAsHEMT不同界面态密度时的直流输出，其界面态密度分别为 (a)0cm2，(b)l×10tiGm一，(c)5×10¨Gm五，(d)1×1012cm。2。图3(a)为无界面态存在时的直 流输出，计算结果表明没有界面态存在时，赢流输出有良好的夹断特性和饱和特性，当在