激光能量对Si等离子体电子温度的影响.pdfVIP

第3l卷第4期 长春理工大学学报 (自然科学版 ) VOIl3l NO．4 2008年l2月 JournalofChangchunUniversityofSciencemadTechnology(NaturalScienceEdition Dec．2008 激光能量对 Si等离子体电子温度的影响 刘丽炜，张喜和，张凤东，谭勇，陈长波 (长春理工大学 理学院，长春 130022) 摘 要：建立一套激光等离子体光谱测量实验装置，以Nd：YAG调 Q倍频固体激光器为激发光源，硅作为样品。 通过改变激光输出能量，获得si样品的等离子体谱 图，对si的等离子体谱图进行分析，根据玻尔兹曼分布，计算 出Si的等离子体电子温度，并分析 si的等离子体电子温度随激光能量改变的变化趋势。 关键词：激光等离子体；电子温度 ；光谱 中图分类号：053 文献标识码：A 文章编号：1672—9870(2008)04—0065—03 InfluenceofLaserEne