电工电子技术课件：PN结的形成及其单向导电性.pptx

PN结的形成及其单向导电性《电工电子技术》

导入导电能力杂质半导体本征半导体P型半导体N型半导体半导体

导入1939年，贝尔实验室的奥尔发现：掺杂不均匀的半导体材料会出现单向导电性，并由此发现了PN结。

PN结的形成PN结的单向导电性目录PN结的形成及其单向导电性

PN结的形成在一块半导体单晶体中，采用专门的制造工艺，使其两边掺入不同的杂质，一边形成P型区，另一边形成N型区，则它们的交界面就会形成PN结。P型区N型区正极负极PN结PN结1

PN结的形成P型区内空穴浓度高，自由电子浓度低；N型区内自由电子浓度高，空穴浓度低。由于两边载流子浓度不同，交界处两侧的载流子会从浓度高的一侧向浓