单片射频微波集成电路技术与设计 器件及制造技术.pdf

第二章 器件及制造技术 电子科技大学 第二章 器件及制造技术 电子科技大学 • 本章内容 • 本章内容 1. ＭＭＩＣ使用的半导体基片技术; 1. ＭＭＩＣ使用的半导体基片技术; 2. ＭＭＩＣ使用的无源器件技术； 2. ＭＭＩＣ使用的无源器件技术； 3. ＭＭＩＣ使用的有源器件技术； 3. ＭＭＩＣ使用的有源器件技术； 4. 各种器件的带宽、增益、噪声、功率容量和线 4. 各种器件的带宽、增益、噪声、功率容量和线 性度等关键RF性能; 性度等关键RF性能; 5. ＭＭＩＣ制造工艺及技术。 5. ＭＭＩＣ制造工艺及技术。 1 ＆2.1 ＭＭＩＣ基片及技术 电子科技大学 ＆2.1 ＭＭＩＣ基片及技术 电子科技大学 •ＭＭＩＣ使用的基片材料 •ＭＭＩＣ使用的基片材料 1. GaAs; 1. GaAs; 2. InP; 2. InP; 3. Si; 3. Si; 4. SiC; 4. SiC; 5. GaN; 5. GaN; 6. Diamond 6. Diamond 2 •基片材料的电子速度与电场的关系 电子科技大学•基片材料的电子速度与电场的关系 电子科技大学 3 •ＭＭＩＣ基片的加工处理技术 •ＭＭＩＣ基片的加工处理技术 电子科技大学 电子科技大学 为确定ＭＭＩＣ中各种有源／无源器件的立体 为确定ＭＭＩＣ中各种有源／无源器件的立体 框架，须采用离子植入、化学蒸汽沉积和分子束外 框架，须采用离子植入、化学蒸汽沉积和分子束外 延等工艺预处理基片，用于设计基片掺杂物和材料 延等工艺预处理基片，用于设计基片掺杂物和材料 复合轮廓，处理应具有分辨单层原子的精度。 4 复合轮廓，处理应具有分辨单层原子的精度。 •离子植入技术 •离子植入技术 电子科技大学 电子科技大学 使用一束给定密度和能量的掺杂物离子照射基 使用一束给定密度和能量的掺杂物离子照射基 片，离子密度决定了植入基片中的掺杂物质浓度， 片，离子密度决定了植入基片中的掺杂物质浓度， 离子能量决定了掺杂物质植入基片中的深度。 离子能量决定了掺杂物质植入基片中的深度。 完成离子植入后，基片在１０００度左右的 完成离子植入后，基片在１０００度左右的 高温下退火去“激化”植入的掺杂物质，熔化和重 高温下退火去“激化”植入的掺杂物质，熔化和重 新结晶已嵌入了被植入物质的半导体基片。 新结晶已嵌入了被植入物质的半导体基片。 硅基器件制造中使用