微电子工艺作图2010-new2.pptVIP

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2017-08-09 发布于云南
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微电子工艺作图2010-new2.ppt

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PMOS-1 P+（100）衬底 n阱形成多晶硅淀积 n阱形成，大能量P离子注入，RTP退火 P-外延层 P+（100）衬底 P-外延层超薄栅氧生长，干氧 P+（100）衬底 P-外延层 LPCVD多晶硅淀积 n阱 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 PMOS-2 显影去胶第一次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱第一次干法刻蚀（多晶硅） P+（100）衬底 P-外延层 n阱去除光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 PMOS-3 CVD SiO2淀积侧墙形成 LDD低能注入（注B，低能，低剂量） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 CVD SiO2淀积 P+（100）衬底 P-外延层 n阱反刻（注意：不用光刻掩膜） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+（100）衬底 P-外延层 n阱侧墙形成 PMOS-4 退火自对准工艺源漏注入工艺，中等能量B离子注入 P+（100）衬底 P-外延层 n阱退火 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 低温RTP，Ti湿法化学腐蚀，高温RTP Ti PVD淀积 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-5 Al互连涂胶显影 SiO2 CVD淀积，CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 涂光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第二次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-6 Al互连去胶 CMP 第二次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去除光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 淀积金属Ti，TiN以及W P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-7 Al互连涂胶显影淀积金属Al P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 涂光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第三次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-8 Al互连去胶，烧结第三次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去胶，烧结 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-5 Cu互连 Si3N4生长显影 SiO2 CVD淀积，CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 薄层Si3N4生长 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第二次光刻（正胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-6 Cu互连去胶涂胶第二次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去除光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ SiO2 CVD淀积，CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 涂光刻胶 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ PMOS-7 Cu互连显影去胶第三次光刻（负胶） P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 显影 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 第三次干法刻蚀 P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 去除光刻胶 PMOS-8 Cu互连 CMP P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ 淀积阻挡层金属，Cu种子层以及电镀Cu P+（100）衬底 P-外延层 n阱 P+ P+ CMP，烧结作图要求 1、PN结 2、同质结/异质结双极性晶体管 3、CMOS/MOS晶体管双极工艺举例双极工艺举例双极工艺举例双极工艺举例双极工艺（NPN）-1 双极工艺（NPN）-2 双极工艺（NPN）-3 双极工艺（NPN）-4 双极工艺（NPN）-5 双极工艺（NPN）-6 双极工艺（NPN）-7 PN结A-1 P（100）衬底 P（100）衬底 B离子注入涂胶（正胶）第一次光刻光刻、显影 P（100）衬底 P（100）衬底第一次离子注入 PN结A-2 第二次离子注入 P离子注入第一次干法刻蚀去胶、高温RTP退火 P（100）衬底 P（100）衬底 P（100）衬底 N+区 P+区 SiO2淀积、CMP P（100）衬底 N+区 P+区 SiO2淀积、CMP 涂胶（正胶） P（100）衬底 N+区