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一种新型的单引出端EBIC成像技术 510610信息产业部电子第五研究所施明哲费庆宇 掖要：本文从晶体管的原理八手，详蛔介船了选种圈外刚提出的新型的单引出端的 ⅡIc的村度棋l理I}‘友用选种新技术来截戈规模粜成电蓐的失效分析．遣种新挂术是把集成 电路的村底引接到样品电泷放太器的■八端．而散出来的nIc倬．用选种新的成像教术可 以同时看到大区域不同屡次势垒区的BBIC着}式，它克纛了传统的RBIC成饽模式帜帜R能 看到昕接^到放大嚣胃蓐申势垒医的耶Ic俸．而且还信弥}皤统的BBIC模式中的其它一 些不足．特刺是在央鼓分析中．当甩待哓BBIC无法连接时，这种新．々BBIC成馘术则显 示出独特的优越性． 1引言． 扫描电镜的电子束威生电流(EBIC)成辣模式岂餐被大量地应用于半导体器件的分析． 其中常用于检测半导律材辩的特性和缺陷，以及晶体瞥和集成电路的培区、反型层、隔离区 和扩散隐埋层的位置盈形糖啐． 在传统的功Ic摸式中，盛是掰嗷结的—螬攘到样品电流放大器，另一靖结蓟公共 地上，让所产生的麝生电流有—个涸路跫基-担用这种传统舶EBIC方式来检测集成电路时， 操作人员需具备多种知识和手段，在·般情况下，至少应有下列四种：第—