提高辐射剂量计用金刚石膜电学性能的研究.pdfVIP

第34卷 增刊l 稀有金属材料与工程 v01．34，Suppl． RAREMETAL 2帅5年 6月 MATERnLSANDENGINEE刚NG June2005 提高辐射剂量计用金刚石膜电学性能的研究 廖晓明1，冉均国1，苟立1，苏葆辉1，张进1，王兵2 (】．四川大学，网川成都6l伽65) (2两南科技大学．四川绵阳6210101 摘要：针对目前金刚石膜存在电阻率低，使辐射齐J最训器件的信噪比不大、x光灵敏度较低的问题，采用优化的氧 等离子体和氮等离r体对ol：成膜进行原位后处理。结果表明：氧等离子体处理比氮等离子体更能有效的刻蚀石墨等非 金刚石成分：处理后样品生成膜的电阻率可捉商至少4个数量级：优化的等离子体处理T艺能提高金刚石膜对x射线 的响应。 关键词：金刚石薄膜；等离子体原位后处理：电学性能；辐射剂幂计 中图法分类号：TB43；0484文献标识码：A 文章编号：1002—185X(2005)sl—0755—04 采剧优化的循环刻蚀生长工艺沉积金刚石薄膜，其工 1 引 言 艺条件：微波功率1200w、基体温度960℃、氧气流 由于现有的电离室剂量计和si二极管剂量计在 量800 使用过程中均存在一些不足之处…，而金刚石辐射剂 力5．3kPa、沉积时间12h。金刚石薄膜生长结束后用 量计相对于上述两种辐射剂量计而言又具有‘系列作 氧或氮等离子体进行原位后处理，其优化后的工艺条 为高质鼍辐射剂量计所需的综合物理化学性质p”，如 件如表1所示。用扫描电镜(sEM)对金刚石薄膜等 宽禁带、高电子和空穴迁移率、高击穿电压和饱和速 离了体刻蚀前后的形貌特征进行观察比较：用xPs对 度、强抗辐射性、耐腐蚀、适合高温环境r工作，成 刻蚀前后表层c原子的化合态及其相对含量变化情况 为现用剂量计的理想替代品而具有广阔的应用前景。 进行测定。 但由于cvD沉积金刚石膜膜层表面由于等离子体刻 蚀的突然中断而出现非金刚石相，以及氢原子在表面 表t原位等离子体后处理工艺条件 形成的P型掺杂的低电阻层【7J，都会降低金刚石膜的 BpeofplasmaoxygenplasmaNi舡ogenplasm8 表面电阻率[8J，从而使生成的薄膜绝缘性能降低。 Microwave口ow盯，W400 400 对于金刚石膜辐射剂量计来说，金H0石膜的电阻 Flowrate，mlmin“ 20 35 率降低，导致用其做成的器件漏电流大，信噪比不高， Pressure／kPa 1．9 2．1 严重影响对小剂量的测量，进而影响了其器件的性能。 Tim“min lO 20 因此人们研究了多种技术工艺对膜进行后处理以期提 高膜的整体绝缘性【9’”】。本实验拟通过对生成膜进行 2．2薄膜电阻率测量 等离子体原位后处理，以期得到一种提高金刚石薄膜 将制备出的金刚石膜表面溅射25mm2×600nm厚 电阻率等屯学性能的有效方法。 的纯金膜作为上层电极，背电极直接以si基体充当。 2实验 的暗电流．电压曲线，由曲线的线性部分数据推算样品 2 1实验方法和装置 的电阻率。 采用由四川大学无机材料系