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兰型 堡兰兰:垒兰茎量兰苎兰查丝垒 i呈
方法截然不同”l。 为代价,很容易实现高帧频.但由于它的占空比低,
液晶光阀的原理足利用可见光调制液晶分子取 根难发展大的阵列从而限制了其发展。薄膜电阻的结
向,改变液晶的二次折射率,使入射红外光的偏振矢 构如图2所示,它由一层薄电阻层、聚酰亚胺绝缘层
量发生旋转,再通过一偏振分析器从反射红外光中获
取二维红外景象。这种方法的优点是:具有极好的空
间分辨率,但在帧频、温度范围和动态范围方面存在
着局限性。
cells最早由法国的Bly于1980年研制成功。
Bly
这种器件结构简单.价格低廉。但由于其具有以下特
点:在一定的真空度下工作且真宅度需综合考虑分辨 图2薄膜电阻的结构图
率和响应速度i薄膜越薄响应速度越快:薄膜面积越 Schematicofthinfilm
Fi92 resistorarray
大分辨牢越高;高的输入只能产生较低的输出:薄膜
的机械性能差,通常不能承受400K以上的温度。因 和硅村底组成.村底下为热沉。由于辐射和传导表面
cells有着响应速度慢、温度范围小、转换效尺寸是等效的。因此电阻产生的热一方面产生有效的
此,Bly
红外辐射,另一方面通过绝缘层流到硅衬底和衬底下
率低等缺点。
的热沉。薄膜电阻的结构很容易做成高占空比,但由
2电阻阵列技术 于像元与像元之间没有一定的隔离.像元间的热串扰
就根明显,从而影响了所产生的图像的质量,而且村
电阻阵列的工作原理:由电阻阵列的每个单元包 底的散热是此结构的最大问题,凼此薄膜电阻的性能
括个发热电阻元和两个MOS晶体管,电阻元作为 受到限制。而微桥结构的电阻阵列克服了前两种结构
微辐射元,当电流流过时产生热量,从而产生红外辐 的不足,能够实现高占空比、低功耗、无串扰等高质
射。由于这种辐射是由电阻发热所引起。因此辐射的 量图像的产生。因此息阻阵列的3种结构中微桥结
红外波段报宽,相当于灰体辐射,这是电阻阵列相对 构电阻阵列的发展备受关注㈣。
于其他红外景象产生器的最大优势,依据Plank定理,
辐射的能量大小由电阻的温度、占空因子和辐射率决 3漱光二极蕾阵列
定.通过单元内的控制电路控制流过每个电阻元的电
流就可以控制每个电阻的温度,从而达到显示红外图 激光二极管阵列是从1993年发展起来的二维动
像的目的。
两种二极管激光可调谐”J。激光二极管阵列最初为测
电阻阵列的单元结构有3种:硅桥电阻、薄膜电
试带有焦平面阵列的传感器而设计的.经过改进可以
阻和悬浮薄膜(或微桥)电阻”I。图1是硅桥电阻的结
用来测试任何带有积分探测器的传感器。檄光二极管
一——·13 阵列与其他扫描产生器系统一样,也利用了焦平面阵
列的积分机理。为了有效地在试验台(ULrl3的视场中
“画”出=维景象,调制每个二极管激光器的输出强
C一 度使之与扫描镜同步。当激光管阵列的景象扫过焦平
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