高温高密度Z-pinch等离子体钨丝丝阵负载制备技术的研究.pdfVIP

、同 ＼高I泪nn高密度同谢发Z—pinch等离子体钨丝丝阵负载 制备技术研究 付志兵邱龙会刘德斌孙祚科余斌 (中国T程物理研究院激光聚变研究中心，四川绵阳621900) 摘要： 利用电解腐蚀原理，研究成功电解腐蚀法超细钨丝制各技术，批量制各了实用的超细钨丝，其中最小 直径为3．5unl、表面粗糙度小于20hm，为丝阵负载的制备提供了台格的原料钨丝。设计并制各出了能够 满足物理实验要求的自适应式单层丝阵负载及相应的支撑和运载系统，解决了负载自动适应加速器靶室阴 阳电极间距动态变化和满足电极放置呈任意方向两个关键技术问题．所制各的钨丝丝阵负载能满足中物院 l岛温商密度Z-pinch等离子体物理实验的需求。 关键词：Z-pinch，丝阵负载，超细钨丝 引言 九十年代中期以前，利用等离子体内爆产生的x光能量和功率都很低IjI，因而国内外 均朱将其作为惯性约束聚变(ICF)和武器物理研究的主要途径。自1995年之后，Z．pinch Z．Pinch 加速器装置的能量得到快速提高，到1997年底，美国Sandia武器实验室在20MA 装置上利用同轴双层套筒钨丝阵进行内爆等离子体实验，产生了高能X．Ray，能量达1．8MJ， M℃～ 功率达290TW，黑腔辐射温度(峰值)达190eV(2．2MC)接近核聚变点火温度2 3MCt”。这些进展不但预示着此项技术在ICF实验、核爆模拟、高温高密度等离子体物理 学等领域具有极其广阔的应用前景，而且为核禁试条件下实验室内创造能模拟氢弹主要物 理过程的辐射环境，研究辐射输运问题，辐射流体力学问题(包括参数)，辐射驱动的内爆 问题和热核材料的点火、燃烧问题等提供重要的依据。 为了适应当前的形势，急需开展Z-Pinch负载的制备研究。Z．Pinch丝阵负载由直径均 匀的负载丝按照物理实验需求的方式排列构成。在Z--pinch物理实验现场，将丝阵负载同 定在阴阳电极上，在高电流作用下产生向内快速箍缩，形成均匀的等离子体壳层。但是， 由于靶室抽成真空时位于其间的阴阳电极之间的距离会发生变化，负载丝本身很细很软， 无法支撑和克服这种变化，使位于 阴阳电极之间的负载丝阵发生弯 曲和变形， 破坏了 丝阵负载丝的特定分布，影响 Z．pinch物理实验结果。为了克服 这种变化带来的不利影响，大多采 用在负载丝阵下端每根负载丝上 悬挂重物，而另一端固定在电极 图1丝阵负载制鲁流程田 上，使每根负载丝在重物作用下绷 紧而保证丝阵形状不变p，4J，这种 390一 力法仅通用r阴刚电极甘竖直方向排列的靶室结构，而中物院现在所使HJ的加速器的l也极 人多不是节竖直方向排列，为了满足中物院Z．pinch理实验的当前的J{{靶需求，我们提山 -r一种新的丝阵负载设计利装配方案”6J，设计和制备出了能够满足物理实验的白适应式单 层丝阵负载及相应的支撑和运载系统，解决了负载t3动适戍加速器靶室阴刚电极间距动态 变化和瞒足电极放置节任意方向两个关键技术问题。钨丝丝阵负载土要由超细钨丝、定待 器、支撑螺杆和辅助装置等构成，制备钨丝丝阵负载的基本流程如图1所示。 l超细钨丝研制 1 1超细钨丝制各原理 利_L|J金属在电解液中受剑电化学腐蚀的作_LfJ，即电化学刚极溶解，熔盐和水溶液均可 进行电解腐蚀反应，采州交流电源和直流也源均能进行电解腐蚀。本实验采川的是交流叱 源： 总反应式为： f W+20H一+2H20—W042。+3H2 钨丝表面被氧化生成的氧化钨与溶液中的氢氧化钾发生化学反应生成可溶性的钨酸 钾。化学反麻析山的氢气有一定的压力，有利丁疏松钨丝表面上的氧化钨，使它住钨丝表 J。 面上容易脱落，以利排除¨J 1．2超细钨丝制备研究 我仃J研究了电解液温度、浓度