氧化铁掺杂对PMnSPZNPZT压电陶瓷性能的影响.pdfVIP

第39卷 第 1期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．39 No．1 20l0年2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYS．rALS Felbmary．2OlO 氧化铁掺杂对 PMnS-PZN—PZT压 电陶瓷 性能的影响 毛洁冰，周 静 ，郑惠清，孙华君，陈 文 (武汉理工大学材料科学与工程学院，武汉430070) 摘要：通过对晶体结构与压电、介电性能测试，探讨 了Fe：O 掺杂对 PMnS—PZN—PZT陶瓷压电性能的影响。结果表 明，PMnSP·ZN-PZT陶瓷结构位于三方、四方相共存的MPB区间，Fe2O，掺杂导致晶体三方、四方相结构含量发生变 化。当FeO，掺杂含量为0．45wt％时，晶体结构位于准同型相区间偏四方相结构的位置，压电与介电性能达到最 佳：tan8=0．12％，d=356pC·N～， =0．60，Q =745，在230℃以下的温度范围具有很好的频率温度稳定性。 关键词：PMnS—PZN·PZT压 电陶瓷；压 电性能；介 电损耗；Fe2O3掺杂 中图分类号：TQ174．75 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2010)Ol-0072 5 EffectsofFe2O3DopingontheProperties 0fPMnS．PZN．PZT PiezoelectricCeramic MAOfie—bing，ZHOUJing，ZHENGHui—qing，SUNHua-jun，CHENWen (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，WuhanUniversityofTechnology，Wuhan430070，China) (Received27May2009，accepted23November2009) Abstract：Withthetestofstructureandpiezoelectricanddielectricproperties，theeffectsofFe2O3doping on thepiezoelectricpropertiesofPMnS—PZN—PZT ceramicswere studied． The results show thatthe rhombohedralandtetragonalphasecoexistedinMPBandthecontentofrhombohedralandtetragonalphase structureofthismaterialwaschangedbecauseofFe2O3doping．WhenthecontentofFe2O3is0．45wt％ ， theMPBwasobtainedandthesturctureleanstotetragonalphase，whichleadtotheexcellentpiezoelectric anddielectricpropertiesoftheceramicscouldbeobtainedwhenFe2O3is0．45wt％ ：tan8=0．12％ ，ds3 356pCN·～，k。=0．60，Q =745．Thematerialhasgoodfrequencystabilityoftemperatureunder230℃． Keywords：PMnS—PZN—PZTpiezoelectricceramics；piezoelectricproperties；dielectricloss；Fe2O3doping 1 引 言 压电陶瓷因其丰富的电学性能及可完成电能、机械能、声能、激光能等各种能量间的转化而被广泛的应 用于水声、超声及变压器等各个领域。由于压电陶瓷所涉及到的压电、