P(VDF-TrFE)-g-PEMA接枝共聚物高场反铁电性与高储能低损耗性能研究.pdfVIP

P(VDF-TrFE)-g-PEMA接枝共聚物高场反铁电性和高储能低损耗性 能研究 李俊杰 谭少博张志成* 西安交通大学理学院应用化学系 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号，710049 摘要：近年来，随着电子电气工业的发展和电子能源系统高性能需求，具有高储能密度、低能量损 耗和快放电速率的介电聚合物薄膜电容器得到了越来越多的关注。本文中，通过对聚 （偏氟乙烯- 三氟乙烯）(P(VDF-TrFE》)改性接枝聚甲基丙烯酸乙酯(PEMA)侧链，成功实现了含氟聚合物在高电 场中的反铁电行为。采用典型的ARGET-ATRP反应，以P(VDF-TrFE-CTFE)(摩尔比80/18/2)为原料， 通过控制聚合时间，得到了不同PEMA含量的接枝共聚物。结构表征说明，接枝共聚物 P(VD)F-TrFE-CTFE)-g-PEMA具有与P(VDF-TrFE)(80/20)相同的晶型结构，即单一的β晶型，同时结晶 度和晶粒尺寸显著减小。电滞回线研究结果表明，随着PEMA含量增加，D-E曲线由典型的铁电性矩 形回线逐渐向双螺旋回线转变，即新型的反铁电特征;同时，这种反铁电性即使在电场＞400MVv/m亦 得到了很好的保持。与具有相同TrFE组分P(VDF-TrFE)相比，P(VDF-TrFE-CTFE)-g-PEMA(22wt％)接 枝共聚物的释放能量密度增大(最高为14J/cm3)，且能量损耗显著降低(30％)。这种高电场中的反铁 电行为主要归于非晶PEMA链段对P(VDF-TrFE)结晶过程的阻碍和电场中晶粒取向运动的限制作用。 关键词：反铁电；高储能电容器；P(VD)F-TrFE);接枝共聚物 P．29 舢 n 一、毛，3三芒譬c立圣。 一、F0、unl芒暑^{—}古 ⅫⅧ∞O却O∞O’∞Ⅻm●∞∞O EIm r蝴C^～『m) 图1中可以看出，电滞回线由P(、『DF—TrFE)典型的矩形回线转变为双螺旋的反铁电特征曲线。 为此，提出了图2中的聚合物结构模型加以解释。 Ⅻ㈦淞 ． l，m，r『I^川¨ 田口[皿，‘．rIⅢ，，＼，u 图2，反铁电P(vDF—TrFE-cTFE)一g—PEMA聚合物结构机理 如图2所示，PEMA侧链与PvDF聚合物主链有这很好相容性或者很强的分子间作用力，因此阻 碍了聚合物的结晶过程，结晶度降低且晶粒尺寸减小；同时非晶区PEMA侧链在室温下处于刚想玻璃 态，在极化电场中，极性晶粒偶极的取向翻转行为或大大被限制，使得极化值降低，只要在很高的 电场下才能实现极化饱和，意味着聚合物储能密度的提高。此外，限制作用同样也加快了取向晶粒 的解取向行为，有利于剩余极化的减小，实现反铁电。 *T‘ECTfEⅢ01●2’ y 二 w【CTFC’口傩-蚺●，_·’ V·weCTr“，Pf¨IthI { yW￡CtF￡’畦mf聃J J 差- } 砉 o O t∞ № Ⅻ Ⅷ Ⅻ Ⅻ