以SBA-16薄膜／ITO为基底电沉积生长“花状”CdS纳米晶体.pdfVIP

维普资讯 第25卷 第 7期 应 用 化 学 Vo1．25No．7 2008年7月 CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY July2008 以SBA．16薄膜 ／ITo为基底 电沉积 生长 “花状CdS纳米晶体 万丽娟 付宏刚 史克英 (哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨 150001；黑龙江大学化学化工与材料学院 哈尔滨) 摘 要 在酸性条件下，以导电玻璃 (ITO)为基底合成SBA．16分子筛膜。所制备的SBA．16薄膜孔径均匀，具 有体心立方结构 (属于 Im3m空间群)。在由CdC1和 Na2S：O组成的电解液中，调节pH值为2～3，利用直流 恒 电位 电沉积法，调节 电位为 一0．7V，沉积时间为 50rain，在 SBA一16膜 ／ITO电极表面 电沉积生长出 “花状” CdS纳米晶体，利用SEM、TEM等技术研究了CdS纳米晶体形貌和结构 ，同时进行了荧光光谱测试。结果表 明，电沉积合成