IC可靠性测试 关于EFR,HTOL和Burn in的异同!.docVIP

【讨论】关于EFR,HTOL和Burn in的异同！ 【讨论】关于EFR,HTOL和Burn in的异同！ 半导体技术天地s Archiver 论坛 ? Reliability[可靠性测试评价] ? 【讨论】关于EFR,HTOL和Burn in的异同！ semicon2009 发表于 2009-1-9 09:34:51 【讨论】关于EFR,HTOL和Burn in的异同！ 讨论EFR,HTOL和Burn in的异同[ 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:37 编辑 ] sunjj 发表于 2009-1-9 11:56:48 早期失效EFR：目的是通过试验得到产品的早期失效率，所以试验的样本量较大。高温寿命HTOL：目的是通过此鉴定试验得到产品的使用寿命，所以试验时间较长。老练筛选Burn-In：目的是通过试验剔除早期失效产品提高批次的可靠性，所以产品应全数进行试验。 semicon2009 发表于 2009-1-9 12:28:23 所以EFR是qual时候做的，Burn in是mass production做的吧。那么具体使用的板子有什么区别，还有是动态测试function还是做完之后再测？有没有详细点的参考资料share一下？ zlf123 发表于 2009-1-9 12:42:27 了解了！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！ 茱wling 发表于 2009-1-9 13:18:00 原帖由 sunjj 于 2009-1-9 11:56 发表 /bbs/images/common/back.gif早期失效EFR：目的是通过试验得到产品的早期失效率，所以试验的样本量较大。高温寿命HTOL：目的是通过此鉴定试验得到产品的使用寿命，所以试验时间较长。老练筛选Burn-In：目的是通过试验剔除早期失效产品提高批 ... 业内精通人士,佩服ing...我们都是用一样的线路,由于条件有限,实时功能测试还做不到,最多只是设置输出信号监控点,所以很少能发现试验过程中的器件损坏,失效大多在事后离线测试时发现! pigeon 发表于 2009-1-9 13:28:03 Burn in主要是模拟产品工作寿命，加偏压，加高温主要是模拟产品在最坏的工作使用情况下的条件。Burn in主要用于作为可靠性监控和从批次产品中剔除早起失效的。取决于Burn in时间的长短，它的失效可以是早衰期的缺陷导致的，也可以是老化损耗期的。EFR目的是为了评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。对应于浴盆曲线的早衰期。失效多是早衰期的缺陷导致的，比如工艺设计等缺陷等。时间一般是168H或者更少。HTOL目的是评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力，也就是正常工作的寿命。对应于浴盆曲线的wear out期。失效多是老化损耗期的失效，比如热载流子效应，氧化层击穿，电迁移等等。时间一般会做到1000Hrs。125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150℃ 1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。[ 本帖最后由 pigeon 于 2009-1-9 13:29 编辑 ] semicon2009 发表于 2009-1-9 15:12:28 回复 5# 茱wling 的帖子 谢谢......[ 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:35 编辑 ] semicon2009 发表于 2009-1-10 19:39:44 继续请教。。。。。。。。 twiyjch 发表于 2009-1-10 21:37:13 謝謝, 了解.... pigeon 发表于 2009-1-11 14:09:31 回复 7# semicon2009 的帖子 个人是觉得这个观点正确的吧 yebenyin 发表于 2009-1-13 15:36:22 感谢楼上 宝贵的意见??受益匪浅??之前一直没有完全搞清楚这几个概念 LIU69 发表于 2009-1-30 10:22:21 回复 6# pigeon 的帖子 几年的说法来自哪里？是统计出来的还是计算出来的？ czy163 发表于 2009-2-2 15:33:55 回复 2# sunjj 的帖子 回答的比较资深哦 moudo 发表于 2009-2-2 16:03:31 回复 12# LIU69 的帖子 应该是计算出来的就是MTTF的计算，再加上加速因子很容易就能大概估算出来 bonbonssy 发表于 2009-2-6 10:02:00 太牛了，学到了很多知识阿。 Kate01 发表于