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磁电子器件的发展及应用中的若干问题 方庆清 (安徽大学磁性材料研究开发中心，安徽合肥230039) 1 引言 磁电子器件是近年来发展起来的新型磁性器件，它是以铁磁金属中的费米面 上或其附近的电子部分地被自旋极化为基础而进行工作。电子自旋度愈高，自 旋输运效应愈大。如果铁磁层的磁矩全部排列在同一个方向上，器件就有低电 阻，若交替反向排列，器件就有高电阻，通过磁场改变磁矩的排列方向便可以 Q范围内任意调节。另外， 改变电阻值。目前，电阻值可以实现在10-2Q至108 依靠目前的光刻技术，可以轻易地获得尺度从微米至亚微米(或纳米)的高性能 T)以 磁隧道结，这种磁隧道结具有无与伦比的磁场分辨率(理论值可达10叫2 及纳米级(10一9m)的空间分辨率。因而，以磁隧道结为基础的磁电阻传感器将挑 战以往磁性传感器对弱磁场的分辨极限，具有灵敏度高、功耗低、体积小、可 靠性高、温度特性好、工作频率高、耐恶劣环境能力强以及易于与数字电路匹 配等优点，成为磁性器