温度变化对BJT参数.pptVIP

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2017-08-08 发布于安徽
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温度变化对BJT参数.ppt

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1 1 温度变化对BJT参数的影响温度对以下三个参数的影响最大：（1）对放大系数β的影响（2）对穿透电流ICEO和反向饱和电流ICBO的影响（3）对发射结电压ube、反向击穿电压V（BR）CEO、V（BR）CEO的影响 1 对放大系数β的影响当温度升高时，会促进三极管内部的载流子扩散运动，是基区载流子复合作用减小，则IBN↓→IEN↓→ β↑，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％。温度升高，电流放大系数β增大。温度由15℃升到45℃， β增大约30％，如图①所示。图① 温度对β的影响示意图 1 对穿透电流ICEO和反向饱和电流ICBO的影响温度升高， ICBO增大。这是由于ICBO是集电区少数载流子造成的，因而与温度有很大关系。一般来说，温度每升高10℃，锗管和硅管的ICBO将增大一倍，如图②所示。对锗管而言，温度变化引起ICBO的变化比硅管严重。由于ICEO是ICBO的（1＋β）倍，因此穿透电流受温度影响最大。 ICEO增大，输出特性曲线上移，如图③所示。图② 温度对ICBO影响示意图图③ 温度对输出特性曲线影响示意图 1 对发射结电压UBE 、反向击穿电压V（BR）CBO、V（BR）CEO的影响在相同的基极电流IB情况下，温度每升高10℃，发射结的正向压降UBE下降约2.5毫伏。如图④所示。如果维持UBE不变，则基极电流IB会随温度升高而增大。 BJT的集电结的反向击穿电压一般均为雪崩击穿。雪崩击穿具有正温度系数，所以温度增加， V（BR）CEO 和V（BR）CBO都会增加。集电极最大耗散功率PCM和反向击穿电压　　V（BR）CEO受温度的影响也较大。温度升高使PCM降低，　　V（BR）CEO也会降低，如图⑤所示。图④ 温度对硅管的UBE影响示意图图⑤温度对V（BR）CEO的影响示意图 1 谢谢！ 1